文 | 不慌实验室，作者｜任天勤，编辑｜王以沫
6 月 29 日消息，三星、SK 海力士、美光在美国加州法院被消费者起诉，被控垄断 DRAM 供给刻意抬价，搅动全球存储产业链定价格局。
诉讼拆解
本次诉讼由 14 名个人消费者、3 家电脑零售小微企业于 6 月 25 日提交加州北区联邦法院，案号 3:26-cv-06345，由曾打赢谷歌数字广告反垄断案的 Bathaee Dunne 律所全权代理，核心诉求是推动案件升级为全美范围集体诉讼。
一旦法院批准集体诉讼且原告胜诉，三家被告需赔付三倍实际损失赔偿金，索赔规模将呈几何级扩大。
诉状核心指控直指行业寡头协同行为，依据 TrendForce 2026 年一季度产业数据，三星、SK 海力士、美光合计拿下全球 DRAM 89.7% 的营收份额，其中三星 38.5%、SK 海力士 28.8%、美光 22.4%，近乎垄断全球主流 DRAM 产能供给。
原告主张，三家企业自 2022 年起达成隐性价格同盟，以布局 AI 高附加值 HBM 产品为幌子，系统性关停 DDR3、DDR4 老旧产线、压缩通用消费级 DRAM 排产计划，人为制造供需缺口，四年内推动 DRAM 现货价格累计上涨 700%。
原告举证细节进一步佐证逻辑链条，单颗 HBM3E 芯片占用晶圆面积为普通 DDR 颗粒的 2 倍，2026 年 HBM 产能已吞噬全球约 25% 的 DRAM 晶圆总产能，全球 DRAM 整体产能增速 14%，但适配 PC、消费电子的传统 DRAM 产能增速仅 10%，供需剪刀差持续拉大。
苹果近期上调 Mac、iPad 全系产品售价，被原告视作上游芯片涨价向下游终端传导的直接证据，成为本次发起诉讼的导火索。
值得一提的是，三星与 SK 海力士存在同类前科，20 世纪 90 年代末至 2002 年，两家企业曾被美国司法部刑事定罪，合计缴纳 7.31 亿美元罚款，多名高管被判监禁。
彼时美光因配合调查充当污点证人免于追责，原告援引这段历史，佐证三家企业具备长期串谋的行为惯性。
现阶段案件仍处于立案初期，原告体量偏小，能否升级集体诉讼取决于法院对垄断事实的初审认定。
巨头产能取舍逻辑
抛开诉讼指控，三大存储原厂倾斜资源布局 HBM，本质是 AI 算力浪潮下的市场化商业抉择，这也是杰富瑞等投行质疑本次诉讼合理性的核心依据。
Counterpoint 调研数据显示，AI 大模型训练、超算集群对 HBM 需求年增速达 70%，HBM 产品毛利率超 60%，而传统消费级 DDR 内存毛利率不足 20%，悬殊的盈利差距驱动厂商主动调配产能结构。
拆解三家企业 2026 年最新经营现状，盈利结构已深度绑定 AI 存储赛道。美光 2026 财年 AI 与数据中心业务营收占比达 61%，官宣在行业盈利峰值期关停 Crucial 消费级 DRAM 自有业务。
三星规划未来十年将投资 2655 万亿韩元，重点聚焦 HBM 与先进制程高端内存。
SK 海力士将 70% 以上新增先进制程产能投向 HBM 迭代研发，通用 DDR 产品仅维持刚需排产。
受益于产能结构优化与存储涨价周期，三家厂商 2026 年一季度净利润同比大幅增长，行业盈利创下十五年新高，逐利动机客观存在，但产能转移符合半导体产品迭代的行业常规逻辑。
涨价效应已完整传导至全产业链上下游，PC 内存条、智能手机运存、服务器内存模组采购成本节节攀升，笔记本、整机硬件终端定价同步上调，中小硬件零售商库存备货成本激增，这也是小微企业加入原告阵营的关键原因。
同时存储晶圆厂建设周期长达 2 至 3 年，即便厂商计划扩充传统 DRAM 产能，短期内也无法落地释放，进一步固化了消费端缺货现状。
周期博弈
全球存储行业彻底告别消费电子驱动的传统周期，转入 AI 算力主导的结构性行情，本次诉讼本质是下游终端利益群体与上游存储寡头的利益博弈，行业在变局中暗藏发展机遇，也裹挟多重现实风险。
尤其是，行业监管将趋向规范化，若法院采信垄断指控，会倒逼三星、SK 海力士、美光公开产能调配细则，优化传统内存供给配比，缓解下游硬件制造成本压力。
长期来看，反垄断介入将推动厂商均衡布局 HBM 与通用 DRAM 产能，避免产业资源过度扎堆单一赛道，完善全球存储供给体系。
此外，双方还可挖掘政企、线下硬件渠道 B 端合作空间，推出定制化存储打包方案，开辟全新商业化路径。
存储行业当下潜藏多重确定性风险。基于杰富瑞权威研报预测，2026 年三季度 DRAM 价格将环比上行 40%-50%，四季度延续 30%-40% 的涨幅，行情高位将持续至 2027 年，直至 2028 年价格格局才会出现松动。
漫长的司法审理周期，无法缓解行业固有的产能缺口，终端消费者与中小硬件企业的采购成本压力，在短期内难以得到缓解。
本次诉讼最终走向具备极强不确定性，司法层面若未认可垄断相关指控，三大存储巨头会持续加大 HBM 高端产能投入，进一步压缩传统 DRAM 的产能供给。
一旦垄断指控成立，企业面临的大额赔付成本，将挤占核心研发资金，拖慢全球 HBM 技术迭代进程，对 AI 算力基础设施的建设落地形成间接制约。
本次诉讼还将催生地缘供应链层面的次生隐患。
三大海外存储厂商大概率通过调整全球供货结构对冲诉讼带来的经营损失，收紧国内市场高端 HBM 芯片的供应渠道，大幅提升本土 AI 企业采购核心存储产品的难度。
与此同时，全球各地的硬件厂商与零售主体，或将参照本次美国诉讼案例，在欧盟、日韩等多地发起同类反垄断申诉，触发全球性行业合规核查，显著抬高头部存储企业的全球化运营成本。
资本市场也会受事件情绪影响，即便存储行业基本面保持高景气，板块估值依旧会面临阶段性回调压力。
整体而言，这场由终端消费者发起的反垄断诉讼，难以改变 AI 浪潮主导的存储产业变革趋势，本质是产业链上下游利益重新博弈的缩影。
三星、SK 海力士、美光集中产能布局高端 HBM 赛道，既是市场化商业选择，也因过往垄断处罚记录存在合规争议，最终司法判决或将重塑全球存储行业监管体系。
