具体而言，IBM 的最新 " 重大半导体突破 " 是所谓 0.7 纳米（7 埃）节点的晶体管架构，能够在指甲大小的芯片上集成近 1000 亿个晶体管，密度几乎是 IBM 2021 发布的 2nm 芯片的一倍。
为了实现这一进步，IBM 开发了一种名为 " 纳米栈 "（nanostack）的新型晶体管架构。这种架构将晶体管进行垂直堆叠并错位排列，利用三维顺序集成技术，在一块芯片上塞入更多晶体管。
该设计还解锁了在每个堆叠层内使用不同材料组合的可能性，从而在不相互影响的情况下优化每个晶体管的性能和能效。
需要注意的是，如今晶体管节点的命名更多指向制造工艺，而并非芯片中接触式金属导线的宽度。在 IBM 的案例中，这意味着原子级工程——晶体管由三层各厚约 5 纳米（约 15 个原子）的薄片构成，薄片间距为 9 纳米。
IBM 研究人员也证明，" 纳米栈 " 架构能够使得 SRAM（静态随机存取存储器）规模提升 40%。IBM 声称，这是内存容量方面的一次巨大跃升，类似幅度的进步行业十多年来未曾见到。片上内存访问是 AI 计算中的关键瓶颈之一，而团队通过新的 7 埃米设计解决了这一问题。
与 5 年前不同，IBM 暂未公布 " 亚纳米芯片 " 的生产合作伙伴，仅表示目标在未来五年内将亚纳米芯片技术商业化部署。
据悉，IBM 目前正与日本代工厂 Rapidus 合作扩大 2 纳米工艺芯片的制造规模，同时全球三大代工厂（台积电、三星和英特尔）都已启用 IBM 开发的 2 纳米技术进行芯片量产。
IBM Research 负责人杰伊 · 甘贝塔（Jay Gambetta）表示：" 制造这些亚纳米芯片的合作伙伴将在’稍后’公布。随着两纳米已成为产业标准，我们预计这是下一次技术跃迁。我们希望看到它成为未来的平台。"
