三星电子与 SK 海力士正加速强化在华 NAND 闪存生产布局，两家韩国存储巨头计划在明年前陆续完成新一轮设备投资，以应对 AI 服务器驱动的高端存储需求激增。
据 ZDnet 周二报道，业内消息显示，三星电子已将中国西安工厂的第九代 NAND 转换投资计划具体化，并确定追加补充投资方案，相关设备采购订单预计于今年年底前落实，补充投资将于明年下半年启动。SK 海力士则已于今年第三季度起，在大连第二工厂推进 NAND 产品升级所需的设备投资，目标产能规模约为月产 3 万片晶圆。
上述投资计划表明，两家企业正将中国产线定位为高端 NAND 量产的重要支柱。随着 AI 基础设施建设提速，市场对先进 NAND 的需求持续扩张，此轮在华扩产有望进一步提升两家企业的高端产品供给能力。
三星西安工厂：V9 NAND 分阶段扩产
三星电子今年上半年已在西安 X2 产线启动 V9 NAND 转换投资。V9 NAND 采用 280 层级堆叠架构，属于当前最先进的 NAND 产品，预计该产线月产能将达 4 万至 5 万片晶圆。
为进一步巩固 V9 NAND 的稳定量产能力，三星电子近期确定了针对该工厂的补充投资计划，核心内容为追加引入刻蚀工艺设备。刻蚀工艺是 NAND 制造的关键环节——由于 NAND 需要将存储单元堆叠数百层，必须在晶圆上蚀刻出极深的通道孔，对刻蚀技术的精度与深度要求极高。
据业内人士透露，三星电子计划于明年下半年执行上述补充投资，相关设备采购订单预计在今年年底前具体落实。该人士表示，三星今明两年将分阶段推进中国境内先进 NAND 产能扩张，直接动因是 AI 服务器等应用场景对高端 NAND 需求的快速增长。
SK 海力士大连工厂：新产线投资全面提速
SK 海力士方面，公司已于今年第三季度起在大连第二工厂启动设备投资，目标是推进当地 NAND 产品的技术升级。据悉，目前讨论中的投资规模对应月产能约为 3 万片晶圆，相关投资将持续推进至明年。
大连工厂此轮投资标志着 SK 海力士在华 NAND 产能建设进入实质性加速阶段，与三星西安工厂的扩产节奏形成呼应，共同构成两家韩国存储企业应对全球高端 NAND 供需缺口的重要举措。
