作者 | 费斌杰 北京市青联委员 熵简科技 CEO
文 | Alphaengineer
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本期的主角是：3D NAND，我们用专业 AI 投研工具 AlphaEngine（AlphaClaw） 来解读。
我想尝试一种短平快的风格，正文控制在 10 分钟内能读完，确保干货。
（1）3D NAND：用层数换密度
NAND 指的是 NAND Flash（闪存），因为其存储单元串联结构在电路上等效于一个 " 与非门 "（Not AND），所以得名。
3D NAND 是一种将存储单元在垂直方向堆叠的闪存技术，区别于传统 2D NAND 在单层平面上排列存储单元的方式。
其本质是当平面微缩逼近物理极限，转而向 " 高空 " 发展，用层数换密度。
目前 3D NAND 堆叠从 200 层→ 375 层→ 480 层→ 604 层的路径是确定的，每向上一级，字线变得更细更深，进而产生了 " 以钼代钨 " 的需求。
（2）字线金属 " 以钼代钨 " 已成确定趋势
字线（Word Line） 是 3D NAND 闪存芯片内部的一种水平控制线路，连接每一层存储单元的控制栅极，负责选择和操作特定行的存储单元。
打个比方，把 3D NAND 想象成一栋几百层的高楼，每一层住着大量的 " 存储房间 "（存储单元）。
字线就是每一层楼的 " 电线开关 "，当你想读写某一层的数据时，就通过字线给那一层通电，选中它。
随着堆叠层数的增加，字线变得越来越长（L 增加）、越来越细（A 减小）。
钨在这种极端尺寸下电阻急剧上升，导致信号延迟和发热问题，而钼的电阻率更低且无需额外阻挡层，因此成为高层堆叠的必然选择。
SK 海力士 375 层 3D NAND 生产验证于 6 月 11 日完成，计划年底在清州 M15 正式量产，钼替代钨的产业拐点不是 " 在路上 "，是正在落地的产业拐点。
3D NAND 用到的半导体级钼是超高纯度钼粉（纯度 5N 以上），与工业用钼完全不同的产品形态，两者基本不互通。
3D NAND 的字线制造是 " 替换栅 " 工艺，先把牺牲层（SiN）挖掉，留下极窄极深的空腔，再往里面填金属，使用的是气相前驱体，因此核心受益品种是钼前驱体。
半导体级钼前驱体全球市场目前极小，但 2027-2028 年预计进入快速放量阶段。
2030E 半导体新增钼需求约 334 吨，相对全球钼 30 万吨供给可以忽略，但相对现有高纯钼粉产能（~5000 吨 / 年量级）是实质性增量。
因此 " 以钼代钨 " 的真正逻辑是高纯溢价 + 供给认证壁垒，而不是总量冲击。
（4）供给弹性低，钼价有望继续上行
全球钼供给约 40% 来自南美铜矿伴生（秘鲁、智利），25-30% 来自中国独立钼矿，剩余来自北美。
伴生矿的钼产量由铜矿主矿采选计划决定，与钼价无关。这使得钼的供给弹性从结构上显著低于大多数有色金属。
2026 年 1-4 月，秘鲁地区（占全球产量约 10%）因能源紧缺，中国从秘鲁进口钼精矿同比下滑 16%。同期南美铜矿主矿商 2026 年铜产量指引下调，直接传导至伴生钼产量。
26-28 年没有显著的新增产能，主要依靠 2 个超大型项目：沙坪沟钼矿、曹四夭钼矿。
沙坪沟钼矿是亚洲最大钼矿，资源量 210-246 万吨，金钼股份持有 34% 权益，2025 年完成环评，预计 2029 年投产，满产后权益年产约 7,500 吨钼金属；曹四夭钼矿同样 2028 年后才能释放。
从需求侧看，传统钢铁领域稳健 + 半导体新增量，机构普遍判断钼价有望突破 22 年高点 6500 元 / 吨度。
（5）市场格局与重点标的
与 SK 海力士敲定涨价，7 月 1 日起 Mo 前驱体普涨 20%+，以海力士为示范，其余客户（三星、YMTC、CXMT）有望跟进
已为三星、海力士配套研发多年，质量评估和审厂陆续展开；配套固态前驱体用 SFS 传输设备已完成国内第一台样机
当前 Mo 前驱体收入规模较小，但若 SKH/Samsung 验证通过后进入量产采购，配合涨价，Mo 前驱体有望在 2027-2028 年贡献数亿元营收增量，利润弹性高
其他值得关注的标的见下表：
（文毕）
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