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财联社-深度 39分钟前

AI 内存极限再创突破!SK 海力士宣布交付 12 层 HBM4E 样品

财联社 6 月 18 日讯(编辑 刘蕊)本周四,SK 海力士公司宣布,已向主要客户交付了新一代 AI 用 DRAM —— HBM4E 的 12 层堆叠样品。此举有助于巩固该公司在快速发展的 AI 芯片市场中的龙头地位。

SK 海力士在声明表示:

" 得益于公司在 HBM 领域的先进研发和生产技术,我们能够按时交付 12 层 HBM4E 的样品…我们将与合作伙伴紧密协作,确保实现及时的大规模量产。"

消息公布后,SK 海力士股价周四在韩股市场上涨 4.17%,其主要竞争对手三星股价则微涨 0.87%。年初至今,SK 海力士股价已经累计上涨 287%。

目前,SK 海力士已经是英伟达主要的 HBM 供应商,而三星和美光也正在展开激烈竞争。

此次揭开面纱的 HBM4E,最大特点是相较上一代 HBM4(第六代),在运算性能和功耗效率两方面都实现了大幅提升。

SK 海力士公司声称,这款 12 层 HBM4E 每引脚(pin)最大数据处理速度达 16Gbps,能效较前代型号提升了超过 20%。这些改进将有效增强 AI 训练和推理的数据处理能力。

这款全新的 HBM4E 通过最新的接口和设计优化,降低了数据传输延迟,同时在高带宽环境下保持稳定运行。这使客户能够提高人工智能数据中心和大规模计算系统中数据处理的效率。

SK 海力士介绍称,他们采用先进的 MR-MUF1 技术制造 HBM4E 产品,在 12 层堆叠结构中实现 48GB 容量,并确保了结构稳定性。这种 1MR-MUF(大体积回流模压填充)技术是一种用于半导体堆叠的工艺,通过在芯片之间注入液态保护材料以保护电路。

此外,与上一代 HBM4 相比,新款 HBM4E 还提升了 17% 的耐热性能,从而在高性能计算环境中保障存储芯片的稳定运行。

SK 海力士总裁兼首席开发官 Ahn Hyun 表示:

" 凭借领先市场的技术实力和制造经验,SK 海力士已奠定基础,进一步巩固其在人工智能领域的领导地位。通过与合作伙伴的紧密协作,我们将为市场提供所需价值,同时强化作为全栈 AI 内存解决方案提供商的技术领导力。"

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