【瑶芯微电子发布全球首款碳化硅超级结 MOSFET】《科创板日报》7 日讯，瑶芯微电子今日宣布发布全球首款碳化硅超级结 MOSFET。据介绍，该产品由瑶芯微电子与中国科学院院士、西安电子科技大学教授郝跃团队合作，历时五年联合技术攻关，协同晶圆代工厂芯联集成进行工艺平台开发，率先实现该前沿技术从实验室走向产业化的突破。《科创板日报》记者了解到，该器件实现 1635V 超高耐压，室温和 175 ° C 高温下比导通电阻低至 1.27 m Ω· cm 和 1.5 m Ω· cm ；25 ° C 到 125 ° C 导通电阻实现零温漂，175 ° C 温度系数小于 1.2 倍，相较平面或沟槽技术 1.8 至 2.2 倍的温度系数取得了实质突破。（科创板日报记者 郭辉）
科创板日报
21小时前
