存储芯片现货市场供需失衡持续加剧，叠加传统消费旺季临近，美国银行预计 9 月现货价格仍有 10% 至 20% 的上涨空间。
追风交易台消息，据美银全球研究 8 月 27 日发布的报告，渠道调查显示，9 月现货市场供给满足率（sufficiency ratio）不足 50%，模组厂商和白牌 OEM 普遍反映无法从主要存储芯片厂商处获得足量的通用 DRAM 及 NAND 产品，原因在于三星电子、SK 海力士、美光等大厂将产能优先分配给大型科技客户。
报告指出，尽管当前现货价格已令多数 IT 产品处于负毛利区间，但供给短缺与旺季效应的共振仍将推动价格进一步走高。
上述判断的背景是，英伟达最新发布的 2027 财年约 70% 的营收增长指引远超市场预期，美银认为这对此前转向悲观的存储板块投资者构成正面提振。报告同时指出，英伟达的增长预测本身已将存储短缺纳入假设前提，若需求进一步超预期，存储行业的增长弹性可能更大。
根据 DRAMeXchange 数据，截至报告发布日，16Gb DDR5 现货价格报 54 美元，年初至今涨幅达 85%，创历史新高；16Gb DDR4 现货价格报 91 美元，较去年同期上涨 879%；8Gb DDR4 报 44 美元，同比上涨 803%。
NAND 方面，1Tb 晶圆现货价格报 31.9 美元，同比上涨 526%；256Gb 晶圆报 16.8 美元，周环比上涨 6%，同比涨幅高达 979%。
美银渠道调查显示，9 月现货市场供给满足率低于 50%，这一数字与三星电子在虚拟路演中披露的信息相互印证——即便到明年，高端 GPU 及 CPU 的 DRAM 供给满足率仍仅在 50% 至 60% 左右。报告强调，当前现货价格虽已令多数 IT 产品毛利转负，但短缺格局与旺季需求叠加，仍支撑 9 月现货价格存在 10% 至 20% 的上行空间。
英伟达 2027 指引：存储增长空间或超 80%
美银报告将英伟达 2027 财年约 70% 的营收增长指引视为存储行业的重要催化剂，并据此上调了对全球 DRAM 销售额的增长预期。
报告指出，若仅假设 2027 年各季度均价环比上涨 10%，叠加约 19% 的出货量增长，2027 年全球 DRAM 销售额增幅可能超过 80%，远高于此前预测的 48%（均价 +24%，出货量 +19%）。
美银列举了三大驱动因素：
其一，英伟达自身约 70% 的增长预测已基于存储短缺假设，若芯片订单需求更强、Rubin/Vera 平台采用更广泛，上行空间将进一步打开；
其二，ASIC/TPU 阵营正更积极地争夺 HBM、DRAM 及 NAND 资源，且愿意支付高于英伟达的价格；
其三，若英伟达与超大规模云厂商消化三大存储厂商新增产能，苹果、中国 OEM 及中国台湾模组厂商可能在长期协议框架下提出更高的 2027 年存储报价，届时均价存在单季度环比上涨 10% 以上的可能。
产业链路演：供给扩张受限，长协比例提升
美银本周举办了覆盖 10 余家存储及韩国科技公司的虚拟路演，整体基调偏乐观。
三星电子方面表示，即便在长期协议（LTA）框架下，DRAM 均价仍可按季度协商，目前约 60% 至 70% 的晶圆产能纳入 LTA 管理；新建晶圆厂（P4）产能主要用于 HBM，高端 GPU/CPU 不存在降规格（de-spec）情况，明年供给满足率仍仅约 50% 至 60%。
SK 海力士则表示，尽管新建龙仁厂区已在推进，但受 HBM 产能占用影响，晶圆产能扩张整体受限，对传统 DRAM 及 NAND 扩产不感兴趣；即便 LTA 比例提升，近期均价上行空间依然较大。
Nanya Tech 指出，传统 DDR4 需求非常强劲，新建晶圆厂设备安装预计于 2027 年一季度启动，初始目标产能为每月 3 万片，计划于 2028 年达产。Silicon Motion 表示，企业级解决方案年化营收已从一年前的约 10 亿美元翻倍至近 20 亿美元；FADU 则预计 2026 年下半年至 2027 年 eSSD 控制器销售额将实现 100% 以上增长。
韩国半导体出口：8 月前 20 天创历史新高
韩国产业通商资源部数据显示，8 月前 20 天半导体出口额达 260 亿美元，环比增长 18%，创历史新高；同比增速加速至 199%，已连续七个月实现正增长。
英伟达方面，其 7 月季度营收报 960 亿美元，同比增长 106%，环比增长 18%；数据中心营收达 890 亿美元，同比增长 117%，占总营收比例高达 93%。
美银美国分析师预计，随着存储成本上升，英伟达毛利率将出现温和压缩，但数据中心毛利率有望维持在 70% 以上。
存储股估值：经历 7 月至 8 月回调后仍大幅跑赢
尽管 DRAM 及 NAND 相关股票在 7 月至 8 月出现回调，但年初至今涨幅仍十分显著。
美银数据显示，三星电子、SK 海力士、美光及 Nanya Tech 股价较 2026 年初均上涨 2 至 3 倍；SanDisk 及 Kioxia 年初至今回报率更超过 400%。
从估值角度看，多数 DRAM 股票目前市盈率仍处于 4 至 8 倍区间，美银认为估值并不昂贵。
报告指出，SK 海力士和三星电子股价在英伟达财报发布后的 8 月 27 日已出现明显反弹。合同价格方面，16Gb DDR5 及 DDR4 合同价格均在 35 至 40 美元区间，8 月环比涨幅收窄至低个位数，低于 7 月的 10% 至 15%；NAND 512Gb 晶圆合同价格目前约为 26 美元，较 2025 年 2 月低点上涨约 10 倍。
