该公司在董事会会议上批准了总投资额约 54.35 万亿韩元（约合 382.97 万亿美元）扩张计划，其中包括 2031 年 10 月 31 日前在龙仁半导体产业园投资 35.2 万亿韩元（约合 248.09 亿美元）建设龙仁 "Y2" 工厂，以及 2031 年 4 月 30 日前在清州 "M17" 工厂投资 19.1 万亿韩元（134.66 亿美元）。
这一决定标志着公司去年 6 月宣布的中长期投资战略开始实施。
备战一场 " 结构性转型 "
根据其总体规划，SK 海力士计划在龙仁半导体产业集群投资 600 万亿韩元，并将清州生产基地扩建 100 万亿韩元。
目前，SK 海力士正在龙仁建设其首个晶圆厂（Y1）。而伴随此次最新决策，公司正着手在龙仁和清州陆续建设后续的晶圆厂。
据市场研究机构 Omdia 预测，从去年到 2030 年，DRAM 和 NAND 的市场需求预计将以 19% 的复合年增长率（CAGR）持续增长。
SK 海力士公司认为，这种增长并非短暂的超级周期，而是一场结构性转型，内存不再仅作为普通组件存在，而是成为决定人工智能性能的核心基础设施。
该公司还表示，在人工智能时代，仅靠技术竞争力已不足以应对挑战，而能够在客户需要的精确时刻提供所需数量的产品，才是最终的竞争优势，" 我们经过对市场需求的全面评估后，才做出了此项投资决策。"
龙仁 Y2 工厂
龙仁 Y2 是 SK 海力士龙仁半导体园区计划依次建设的四座晶圆厂中的第二座。将作为 DRAM 生产基地，总占地面积达 34.1 万平方米（约 1,130,000 平方米），工程预计于明年 7 月开工，目标是在 2029 年 6 月启用首个洁净室，用于生产高带宽内存（HBM）及其他下一代 DRAM 产品。
SK 海力士此前设定目标，将龙仁半导体园区的完工日期提前 12 年——从原定的 2045 年推迟至 2033 年——以完成全部四座工厂的建设。也就是说，Y2 阶段的建设是支持这一加速计划的第二阶段。
SK 海力士最新批准的这笔投资将分阶段进行，依次覆盖至 2031 年 10 月。投资金额将包括为 Y2 员工提供行政及福利设施的 " 商务支持大楼 " 建设费用、整合产品开发测试、分析与实验的 " 综合研发中心 "，以及辅助基础设施建设。
清州 M17 工厂
SK 海力士选择清州作为其新的 NAND 晶圆厂基地，是因为该地拥有最快的工厂建设周期。
清州园区已建有 M11、M12 和 M15 三条生产线，可与现有设施高效联动，并依托已具备完善电力和供水基础设施的场地开展生产。
清州 M17 工厂将占地面积达 20.6 万平方米（约 68 万平方米），预计于明年 2 月动工，计划在 2028 年 12 月启用首个洁净室。根据总体规划，该项目投资期将持续至 2031 年 4 月。
SK 海力士计划根据与客户讨论的中长期需求，主动保障生产基础设施，并在满足客户需求的时间节点上同步扩大实际产能。工厂将按照主进度表建设，而洁净室扩建和设备安装则将根据需求趋势依次进行，以最大化资本利用效率。
该公司预计此项投资将为未来增长奠定基础，同时增强国内半导体生态系统的竞争力，并促进地方经济发展。
