三大 DRAM 原厂 2027 年全年产能已提前售罄，AI 浪潮正将存储市场推入前所未有的结构性短缺周期。
8 月 4 日，据媒体 DIGITIMES 援引业界人士透露，三星电子、美光及 SK 海力士的 DRAM 与高带宽存储器（HBM）2027 年产能已全数分配完毕，涵盖长期协议大客户及中小型买家。
与此同时，三星电子、美光、闪迪的 NAND Flash 全年产能亦已预售一空，铠侠与 SK 海力士预计最晚于 2026 年 8 月底前完成分配。
上述动态意味着，尚未锁定产能的买家面临 2027 年 " 无货可买 " 的困境，而云端服务巨擘与 AI 大厂的优先级持续压缩手机及 PC 等消费性终端的供给空间。
不过，随着主要产能陆续分配到位，业界预期 2027 年价格涨幅将较 2026 年趋缓，但供给紧张与终端成本压力短期内难以实质缓解。
AI 需求主导分配格局
AI 浪潮是此轮产能告罄的核心驱动力。各大原厂近期已陆续与大客户签订 3 至 5 年期长期供货协议（LTA），将存储市场从传统商品周期拉入长期卖方市场格局。
威刚董事长陈立白证实，三大原厂 2027 年产能早已售罄，HBM 与 AI 服务器相关应用将占据 DRAM 产能约七成。
在总产能受限的情况下，原厂优先满足云端服务（CSP）及 AI 大厂需求，直接压缩手机及 PC 厂商的配额。
业界估计，原厂实际可提供的产能通常仅达买方原定目标的六至七成，手机及 PC 厂商 2027 年能取得的 DRAM 配额，预计将较 2026 年明显减少。
SK 集团会长崔泰源近期表示，2027 年 AI 半导体需求可望较 2026 年大增 60% 至 100%，整体储存需求增幅估达 50% 至 60%，供需缺口恐持续扩大，2027 年将面临史上最严重的短缺与供需失衡。
NAND 供需逆转存疑，企业级需求支撑延续
相较于 DRAM，NAND Flash 市场供应商较多，买方仍存在一定的谈判空间。
外界对 2027 年 NAND 供需逆转持有疑虑，认为新产能陆续释放叠加消费需求疲弱，2027 年下半年供需或趋于宽松，价格压力随之升高。
然而业界人士对此看法持保留态度。
相关业者指出，2027 年企业级固态硬盘（SSD）需求仍强，供给紧缺有望延续至 2028 年，原厂扩产评估不宜过于乐观。
陈立白亦指出，企业级储存需求强劲，带动 NAND Flash 与硬盘市场供给同步趋紧。
订金模式取代传统下单
此轮产能分配模式出现结构性转变。
据报道援引供应链人士透露，面对 2026 年产能供不应求局面持续蔓延，多家云端服务巨擘与品牌厂商不惜代价争抢产能，各大厂商纷纷提前锁定未来产能，并配合原厂推行的预付订金模式完成交易。
所谓产能分配，涵盖范围不限于签署长期协议的大客户，也包括 2026 年已获产能分配、但原厂未必愿意签订长约的中小型买家。各家原厂将经内部协调后，通知相应的产能额度。
业界人士指出，部分厂商对 7 月至 8 月是产能分配关键窗口期一事仍不知情，"大家都不宣扬，就是怕太多人进来，结果自己分少了。"
价格高位常态化，涨幅料趋缓
尽管供给持续吃紧，价格轨迹却可能与 2026 年有所不同。
业界普遍认为，由于主要产能已基本分配到位，DRAM 与 NAND 的最终价格将待接近实际出货期时才进一步确定，2027 年的价格涨幅有望较 2026 年的倍数式暴涨趋于温和。
然而，" 价格高位常态化 " 将成为新常态。
存储原厂手握产能分配大权，预计仍将强势维持市场报价走升，整体市场供给紧张与终端成本压力短期内难以实质缓解。
对于尚未完成产能锁定的厂商而言，被迫接受更高价格采购，或在供给上陷入被动，将是 2027 年面临的主要风险。
