一周之内，两大头部手机厂商接连官宣涨价，拉开了终端成本传导的序幕：3 月 18 日，vivo 上调了部分产品的建议零售价。就在两天前，OPPO 也开始调整部分已发售产品价格。
两家厂商的调价动作指向同一个核心原因：全球半导体及存储成本持续大幅上涨。
国产算力侧同步迎来涨价潮。就在手机厂商宣布提价的 3 月，阿里云、百度智能云也接连发布调价公告，对 AI 算力、存储等核心产品进行价格上调，最高涨幅达 34%。
而在今年 1 月，全球云计算龙头 AWS 打破近 20 年 " 只降不升 " 的传统，对大模型训练用 EC2 机器学习容量块提价 15%。
手机与云服务，看似处于产业链的两端，却在同一时间感受到了相同的成本压力。背后是一场由 AI 引发的、正在重塑全球存储芯片供需格局的 " 蝴蝶效应 "。
为了满足 AI 服务器的爆发式需求，三星、SK 海力士等上游原厂将超过 80% 的先进产能，优先分配给利润率更高的 HBM 高带宽内存，从而严重挤压了消费电子所需的 LPDDR 和 NAND 闪存供应。
AI 引发的 " 结构性挤占 "，正让存储芯片进入一个非典型的超级周期。
01
AI 算力需求引发 " 结构性挤占 "
全球半导体及存储成本持续大幅上涨的脉络可以倒推至一年前。
· 2024 年四季度，价格上涨信号就已初步显现。AI 服务器需求彼时就开始挤压消费电子产能，存储厂商优先供应利润更高的 AI 服务器存储产品（如 HBM、DDR5），消费级 DRAM/NAND Flash 出现结构性缺货迹象，半导体产业链各环节开始感受到成本压力。
2025 年，存储价格开始明显上涨，并呈现出随季度加速的态势。二季度，部分品类季度累计涨幅超过 300%，中国 AI 供应链需求强劲，进一步推高半导体价格。四季度，内存价格进入快速上升通道，金士顿 16G 普条内存从 200 元左右开始上涨。
Counterpoint Research 在 2025 年 12 月发布的《全球智能手机出货追踪与预测》就显示，受存储芯片成本大幅上涨影响，2026 年全球智能手机市场将呈现 " 量减价升 " 态势，预计 2026 年智能手机均价将上涨 6.9%
爆发式上涨发生在今年前三月：存储价格大幅上涨，服务器高端 DDR5 模组涨幅超 600%；消费级 DDR5 内存模组涨幅达 250%-400%；美光科技 2026E 毛利率预期达 67.3%（2025 年为 39.8%。
" 存储涨价潮 " 的根源，在于 AI 大模型的爆发式增长，人工智能大模型从聊天对话走向多步骤执行应用，伴随数十倍的 Token 消耗，推理算力需求呈指数级增长。
国家数据局统计显示，截至 2025 年 9 月底，中国日均 token 消耗量已突破 40 万亿，和 2024 年初相比增长 400 多倍。今年春节期间 AI Agent 应用爆发，Token 调用量更是迎来一轮激增。
而在今年 2 月，中国大模型单周调用量达到 5.16 万亿 Token，三周内增长 127%，首次超过美国模型的 2.94 万亿 Token，全球开发者生态影响力取得实质性突破。
这些都直接拉动了云厂商对 HBM、高端 DDR5、企业级 SSD 等高性能存储芯片的大量采购。
当上游原厂将先进产能优先分配给利润更高的服务器市场时，就形成了对消费电子（如手机用 LPDDR）的产能挤占，最终引发全线涨价。
苏商银行特约研究员付一夫表示，上游供应链成本结构性暴涨与产能失衡，AI 大模型爆发导致云厂商、服务器厂商疯狂抢占存储芯片产能，三星、SK 海力士等优先供应高利润服务器市场，手机用 DRAM、NAND 闪存供给严重不足，价格翻倍。
02
中低端需求的 " 真空 "
2026 年 AI 服务器的需求迅速膨胀。AI 训练对存储的要求已从 " 容量驱动 " 转向 " 性能驱动 "，高带宽内存（HBM）成为算力芯片的 " 标配 "。
面对 AI 服务器市场的爆发式需求，三星、SK 海力士、美光三大寡头选择高度一致，将 80% 以上的先进产能优先分配给利润率更高的 HBM（高带宽内存）和高端 DDR5-2-9，直接挤压了手机端 LPDDR 的供应。
这就是所谓的 " 产能结构性倾斜 "，生产高端存储芯片的产线，无法同时供应中低端需求。而一座存储晶圆厂的建设周期需要一年半到两年，即便现在大规模投资，新增产能也要到 2027 年底才能显著释放。
北京社科院副研究员王鹏表示，上游存储原厂调整产能布局，集中资源发展高端产品线、削减低端产能，且新增产能释放滞后，市场整体供应紧张，推动价格上扬。
另有行业观点认为，本轮存储价格上涨会进一步加剧手机行业集中度提升，风险最高的三类厂商是中小品牌、以低端机型为主的厂商、供应链来源单一且议价能力弱的厂商。
03
价格新高，库存拉响警报
据国家发展改革委价格监测中心的数据，截至今年 1 月，DRAM 与 NAND 闪存价格双双创下自 2016 年有记录以来的历史新高，主流型号 DRAM 合约价较去年 9 月上涨 83%，NAND 闪存涨幅更是逼近 1.5 倍。
更值得警惕的是，全球三大存储巨头三星、SK 海力士、美光垄断 90% 以上的 DRAM 产能，并将大部分先进产能转向高毛利率产品，导致消费级存储芯片供应急剧收缩。三星 2026 年底 HBM 占 DRAM 产能比例将从 23% 提升至 37%；SK 海力士从 28% 升至 33%；美光从 16% 升至 28%。
在高端产能疯狂扩张的同时，中低端存储的产能空间被严重挤压，加之半导体晶圆厂扩建周期长达 2 至 3 年，短期无法释放新产能。
库存告急、价格冲顶、寡头转产，这场由 AI 算力爆发引发的 " 存储慌 "，正从上游晶圆厂向下游的手机、云计算终端加速传导。
04
国产替代迎来窗口期
自国际存储芯片价格上涨以来，国产替代厂商的报价吸引力相对上升。
业内人士透露，过去两周国产替代部分芯片产品的询单量明显上升，部分国内手机品牌采购团队开始重估国产芯片的导入比例。
SEMI 提供的数据显示，2020 年至 2030 年间，中国晶圆产能将从 490 万片增至 1410 万片，增长近三倍，全球市场份额从 20% 升至 32%。2028 年全球将新建 108 座晶圆厂，其中亚洲占 84 座，中国独占 47 座，超过亚洲新增产能的一半。
大同证券研报指出，2025 年 6 月以来 DRAM 价格呈现强劲的上升趋势，直接反映了 AI 服务器、新一代 PC 和数据中心对高性能内存的强劲需求，存储芯片行业正进入新一轮景气上行周期。
在地缘政治背景下，半导体产业链的国产替代正在加速推进。关键环节（如刻蚀、清洗）国产化率的提升，说明国产设备已逐步从验证期进入放量期。在此趋势下，国内晶圆厂扩产带来的国产设备与材料订单机遇值得关注，特别是那些已在主流产线实现批量供货、技术壁垒较高的细分领域龙头。
前述研报认为，当前 TMT 行业热点主要围绕 "AI 硬件 " 和 " 国产替代 " 两条主线展开。前者与全球科技巨头的资本开支高度相关，后者则具备明确的政策支持与产业升级背景。
（责任编辑：曹言言 HA008）
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