钛媒体 App 1 月 17 日消息，在芯片制造中，不同材料层间的 " 岛状 " 连接结构长期阻碍热量传递，成为器件性能提升的关键瓶颈。近日，西安电子科技大学郝跃院士、张进成教授团队通过创新技术，成功将粗糙的 " 岛状 " 界面转变为原子级平整的 " 薄膜 "，使芯片散热效率和器件性能获得突破性提升。这项为半导体材料高质量集成提供 " 中国范式 " 的突破性成果，已发表在《自然 · 通讯》与《科学进展》上。
据介绍，团队首创 " 离子注入诱导成核 " 技术，将原本随机的生长过程转为精准可控的均匀生长。实验显示，新结构界面热阻仅为传统的三分之一。基于该技术制备的氮化镓微波功率器件，在 X 波段和 Ka 波段输出功率密度分别达 42 瓦 / 毫米和 20 瓦 / 毫米，将国际纪录提升 30% — 40%。这意味着同样芯片面积下，装备探测距离可显著增加，通信基站也能覆盖更远、更节能。（科技日报）
