近日，2026 中国工博会集成电路展（国芯展）在国家会展中心（上海）举办。作为国内集成电路领域国家级行业盛会，本届国芯展汇聚 300 余家企业，聚焦先进封装、AI 算力芯片、尖端无源器件等前沿赛道。朗矽科技 CEO 汪大祥受邀出席，发表《AI 处理器供电网络与先进封装的深度融合》主题演讲，并现场重磅发布迭代升级的《硅电容技术白皮书 2.0》，系统分享国产硅基无源器件在 AI 大算力时代的技术需求、实现路径、研发进展与产业化思考。
朗矽科技 CEO 汪大祥指出，随着 AI 算力爆发式增长，正把芯片供电推向物理极限。主流 AI 旗舰芯片功耗已迈入千瓦级，工作电压却在持续下探—— NVIDIA 已由 2006 年 Tesla 世代的 1.30 — 1.35V 降至 2025 年后 Blackwell 世代的 0.65 — 0.80V。大电流与窄电压窗口叠加，让电源供电网络（PDN，power delivery network）面临三重挑战：
直流电阻压降：大电流流经极小电阻，即可产生不可忽视的电压损失；
瞬态电压波动：负载电流的快速跳变叠加寄生电感，引发电压剧烈波动；
电容放电压降：在电源稳压器响应之前，去耦电容需要高容值即时供电。
传统水平供电架构触及性能天花板，向 PCB、基板、2.5D/3D 等不同层级的垂直供电网络演进，已成为行业共识。
面向千瓦级 AI 大芯片，供电网络不再是孤立的板级设计问题，而是芯片、基板、先进封装和无源器件深度耦合的系统工程。3D 硅电容（DTC，deep trench capacitor）凭借超低 ESR/ESL、高电容密度、超薄可合封的特性，成为近芯去耦的核心解决方案，并开始作为飞跨电容大量应用于集成电压调节器（IVR，integrated voltage regulator）；片上磁芯电感，则是实现 2.5D/3D IVR 的关键拼图。二者协同，共同支撑下一代 AI 芯片垂直供电网络落地。
AI 芯片垂直供电网络是人类芯片工程史上最复杂的挑战之一，面临背面供电技术、先进封装跨尺度热电力磁耦合与仿真、磁性材料工艺兼容性等多重技术挑战，需要产业链开放协作、联合攻关。朗矽科技将继续加大硅基无源器件研发投入，加速基板埋容、硅中介层集成 DTC、片上磁芯电感等技术迭代与产品落地，不断完善白皮书等行业公共技术输出，为基于尖端无源器件和先进封装的 AI 芯片垂直供电网络发展持续发力。
《硅电容技术白皮书 2.0》正式发布
本次现场发布的《硅电容技术白皮书 2.0》在 1.0 版本基础上大幅扩充更新，主要涵盖五个方面：一是完整梳理硅电容技术演进脉络；二是补充硅电容对比 MLCC 陶瓷电容的实测数据；三是新增硅电容在传统基板埋容、玻璃基板集成、2.5D 硅中介层集成、3D 集成等前沿先进封装场景的技术方案、仿真模型与工程化案例；四是拓展高速光模块、功率半导体、航空航天、医疗电子等多元应用选型；五是增加热电仿真、可靠性测试、工艺兼容性、产业链协同开发指引等内容。
朗矽科技硅电容多形态覆盖垂直供电网络需求
公开资料显示，朗矽科技专注于硅基无源器件 3D 硅电容、硅电感及硅电阻设计、研发与销售。公司提供高容值密度、超低 ESL 与超薄化封装的硅电容，广泛应用于 AI 算力、服务器电源、光通信与先进封装场景。公司锚定垂直供电网络技术路线，致力于加速硅基无源器件与先进封装产业链融合。
朗矽硅电容基于深沟槽（DTC）工艺，具备 " 三小三高一稳 " 的综合特性：尺寸小、等效串联电阻（ESR）小、等效串联电感（ESL）小；电容密度高、高温性能好、高频性能好；无电压偏置效应。围绕垂直供电网络不同层级的落地路径，朗矽科技已形成表贴硅电容、基板埋容两大量产级产品线。表贴硅电容聚焦于封装内外的极高频去耦，而基板埋容方案则致力于封装基板内部的高密度集成，两类产品均已通过多家头部客户验证，以国际一流的关键参数水平实现国产替代。
面向中长期先进封装演进方向，公司多项研发项目有序推进：基板 ABF 层埋容产品处于联合研发阶段；硅电容与玻璃基板集成方案列入近期规划；2.5D 硅中介层集成 DTC 已正式立项。硅电容正从单一表贴器件，走向与传统基板、玻璃基板和硅中介层的深度集成。
磁芯电感补齐 2.5D/3D IVR 国产拼图
在电感方向，朗矽科技同样取得阶段性进展：片上 CZT（钴锆钽合金）磁芯电感目前处于原型流片验证阶段。
磁芯电感是直流降压电路的核心储能元件，也是 2.5D/3D IVR 乃至 FIVR 的关键元件。其电感密度比空心电感高达数十倍，并能有效约束磁场减小电磁干扰，是 AI 芯片供电网络的标配器件之一。朗矽科技的片上磁芯电感采用低温 RDL 工艺，与 CMOS 制程兼容，通过磁芯交错沉积分层设计有效降低涡流损耗。
目前国内片上磁芯电感整体尚处于实验室与专利布局阶段，朗矽科技呼吁产业链上下游共同投入工艺开发和联合验证，补齐 2.5D/3D IVR 的国产无源器件短板。这块 " 最后拼图 "，需要相关产业链合力解决：设备、工艺、器件、芯片设计及封装。
从单一器件走向"器件—封装—系统共创"
朗矽科技秉持平台化发展视野，打破单一器件的局限，系统构建硅电容、硅电阻、硅电感及硅中介层的完整产品矩阵，并前瞻性布局远期 IVR 赛道。公司依托统一的硅基半导体工艺体系，一站式覆盖电源去耦、高频滤波、阻抗匹配以及集成电源管理等全栈场景。
公司累计取得数十项核心专利，产品型号超过 200 款，月产能超 5 亿颗，已量产及验证客户逾 20 家，在 AI 算力、高性能服务器、高速光模块领域实现批量交付，并已获得亿元级订单。
先进封装与高速高性能芯片时代，无源器件不再是简单选购的通用元器件，而演变为需要前置参与芯片与封装定义的关键协同要素。朗矽科技将产业协同前置到产品定义阶段，深度联动晶圆厂、封装厂、基板厂开展联合工艺适配与可靠性验证，打通从器件设计、工艺开发到封装导入的全链路，共同破解应力控制、热电联合仿真等现实工程难题，筑牢先进芯片生态的底层基石。
