【银河微电：拟投资 10.78 亿元建设高端核心器件产业化项目】财联社 9 月 21 日电，银河微电 ( 688689.SH ) 公告称，公司拟以自有或自筹资金投资 10.78 亿元实施 " 高端核心器件产业化及创新能力建设项目 "。该项目系公司已披露的 " 高端集成电路分立器件产业化基地一期厂房建设项目 " 的延续，主要在一期厂房基础上实施装修改造、设备购置安装、产线调试及客户验证。本项目所涉产品，是指采用 SGT/SJ、IGBT、SiC/GaN 等先进芯片结构，通过 AEC-Q101 等高可靠性认证，面向新能源汽车、储能、工业等高门槛场景，具备低损耗、高抗 ESD/ 雪崩能力、长寿命的功率分立器件与第三代半导体器件；主要包含 SGTMOS、超结 MOS、IGBT 及模块、SiC 器件、IPM 模块、车规 TVS/ESD 等，区别于传统消费类小信号二极管、普通低压平面器件。
科创板日报
2小时前
银河微电：拟投资 10.78 亿元建设高端核心器件产业化项目
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