【消息称 1c nm 有望 2027 年初成为 SK 海力士主流工艺】《科创板日报》7 日讯，SK 海力士正在迅速扩大其第六代 10nm 级 DRAM 工艺 1c nm 产能份额。由于 1c DRAM 将作为核心芯片堆叠 HBM，并应用于下一代高带宽内存，该公司正在加速其工艺转型。据业内人士透露，SK 海力士 1c DRAM 的市场份额从今年第一季度的约 10% 增长到第二季度的 13% 左右，预计第三季度将升至 24% 左右，第四季度将达到 34% 左右。明年第一季度，1c nm 的市场份额有望攀升至 35% 左右，首次超过 1b（33% 左右），成为主流工艺。
财联社-深度
13分钟前
