在这两大因素的共同推动下，高盛大幅上调了对全球晶圆制造设备（WFE）的支出预测。
美东时间周日，高盛在最新研报中，将 2026-2028 年 WFE 支出规模预期分别上调至 1500 亿美元、2180 亿美元、2810 亿美元，本次调整幅度远高于此前预估。这一变化反映出全球半导体资本开支周期正加速上行。
在同比增速方面，高盛将 2026 年全球 WFE 支出增速由 32% 上调至 36%，2027 年由 32% 上调至 45%，2028 年由 12% 上调至 29%，意味着半导体设备行业景气周期有望延续至 2028 年。
台积电 N2 工艺为代工支出上行主要推手
在晶圆代工板块，高盛将 2026-2028 年代工设备资支出预测上调至 580 亿美元、840 亿美元、1090 亿美元，对应同比增速 45%、45%、30%；此前的预测增速仅为 30%、30%、16%，上调幅度显著。
代工板块资本开支预测上调，主要来自台积电。报告将台积电 2026-2028 每一年的资本开支预测均上调 80 亿美元，原因是N2（2 纳米）制程设备投入强度超预期，叠加下游客户需求持续旺盛。
高盛指出，未来数个季度 N2 制程将进入大规模量产爬坡阶段，先进逻辑工艺将成为晶圆代工设备需求增长的核心来源。
DRAM 设备支出增加但供应仍然紧张
DRAM 板块同样迎来大幅上调。高盛把 2026-2028 年 DRAM 领域设备支出预测上调至 480 亿美元、720 亿美元、970 亿美元，同比增速分别为 50%、50%、35%，其中 2028 年增速上调幅度最大。
DRAM 板块的支出上行动力主要来源于两大韩国 DRAM 巨头——三星和 SK 海力士。高盛分析师 Giuni Lee 上调韩国三星电子 2026-2028 年均 DRAM 资本开支预期 22%，SK 海力士的上调幅度为 19%。
值得关注的是，尽管全行业资本开支大幅增加，但高盛预计 DRAM 供给依旧紧张，产能约束将持续到 2028 年。
相比之下，NAND 闪存的设备支出预测调整幅度有限，涨跌互现。高盛将 2026 年 NAND 的设备支出预测维持 110 亿美元不变；2027 年从 170 亿美元下调至 150 亿美元；2028 年由 200 亿美元上调至 220 亿美元。
高盛认为，未来短期 NAND 市场的增量资本开支将集中在产线升级改造，而非大规模新建产能，这一趋势将支撑 2027 年之前 NAND 供给维持偏紧格局。
逻辑芯片设备支出中长期有望大幅上调
高盛还大幅上调了逻辑芯片及其他板块的中长期支出预测。
高盛将 2026-2028 该板块支出预测上调至 340 亿美元、470 亿美元、530 亿美元；其中 2027 年由原先 350 亿美元上调至 470 亿美元，上调幅度达到 34%；2028 年自 370 亿美元上调至 530 亿美元，上调幅度达 43%。
上调主要源于两点：第一，英特尔业绩表明其面临的需求好于预期，带动相关资本开支预测上修；第二，成熟工艺与模拟芯片市场迎来复苏。
除此之外，SpaceX 与特斯拉合计为 Terafab 项目首期投入约 168 亿美元，相关支出现已纳入逻辑及其他板块测算，成为该板块中期重要新增增长来源。
整体来看，高盛对半导体设备板块维持看多立场。而此次大幅上调支出预测，对设备板块投资者具备明确指引：各大厂的资本开支预期抬升意味着设备厂商订单能见度持续改善，本轮行业上行周期有望延续至 2028 年。
