曝光的规格显示，该驱动器容量为 1TB，顺序读取速度高达 7,150 MB/s，写入速度可达 6,450 MB/s。
以 HMB 技术弥补无 DRAM 短板
传统 SSD 依赖专用 DRAM 存储闪存转换层（FTL）数据，以便控制器高效定位 NAND 闪存中的数据。然而，在全球 " 内存荒 " 持续恶化的背景下，各大供应商正寻求降低对 DRAM 的依赖。缺失 DRAM 可能导致驱动器在持续负载或繁重多任务处理时出现更高延迟和性能下滑。
为解决这一问题，三星采用了 NVMe 主机内存缓冲（HMB）功能，通过 PCI Express 通道预留少量系统内存作为替代。这部分借用的内存仅用于保存映射元数据，将逻辑地址直接连接至物理 NAND 位置，而非存储用户文件。尽管 HMB 的响应速度不及专用 DRAM，但相比完全无缓存机制的驱动器，其性能仍有显著提升。
此外，该驱动器的耐久度评级为 400 TBW。对于当前行业标准下的 1TB SSD 而言，这一数字相对保守，暗示其可能采用了四层单元（QLC）NAND 闪存技术。QLC 每个存储单元可存四位数据，虽能降低成本，但也牺牲了部分耐用性。不过，三星尚未公开披露这款驱动器内部具体使用的 NAND 闪存技术。
组件成本上涨重塑 SSD 设计
三星此举正值全球 NAND 闪存和 DRAM 价格今年持续大幅攀升之际。移除 DRAM 封装不仅能直接降低组件成本、简化 PCB 设计，还有助于在主流 SSD 市场保持价格竞争力。
虽然 QLC NAND 在持续写入性能和长期耐久度上落后于三层单元（TLC），且远低于企业级产品中常用的多层单元（MLC）和单层单元（SLC），但其更高的存储密度和更低的制造成本优势明显。
尽管存在上述权衡，高达 7,150 MB/s 的读取速度和 6,450 MB/s 的写入速度，仍使该产品跻身许多配备专用 DRAM 缓存的主流 PCIe 4.0 SSD 行列。目前，三星尚未公布该产品的定价、上市时间、官方名称及具体 NAND 技术细节。在更多信息揭晓前，泄露的规格指向一款旨在平衡性能与成本的低价 PCIe 4.0 SSD，以应对内存价格持续上涨的市场环境。
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