当地时间 7 月 3 日，铠侠宣布，其第十代 BiCS FLASH 3D NAND 芯片已送样。
第十代 NAND 是铠侠迄今技术规格最高的闪存产品，将应用于数据中心的固态硬盘产品线中，以满足日益增长的 AI 存储需求，并将采用铠侠位于日本岩手县北上工厂 Fab2 的先进设备进行生产。
铠侠介绍，通过利用 CBA（CMOS 直接键合阵列）技术以及 OPS（间距选择栅极漏极）技术，新产品实现了 4.8Gb/s 的 NAND 接口速度。与第八代产品相比，性能提升了 33%；通过堆叠 332 层并提高横向密度，新产品位密度提高了 59%（产品密度是指产品内部存储芯片的密度，而非最终用户可用于数据存储的内存容量）；此外，写入和读取的功耗效率分别提高了 18% 和 30%，有助于降低数据中心和企业基础设施的能耗。
铠侠 5 月 15 日发布财报指引称，受 AI 产业普及带动，数据中心存储需求将持续高景气，公司预计 2026 财年第二季度（4-6 月）合并营业收入同比大幅增长 410%，至 1.75 万亿日元；合并营业利润同比暴涨 2791%，达到 1.298 万亿日元；合并净利润同比飙升 4649%，录得 8690 亿日元，营收、营业利润、净利润三项指标均将刷新历史纪录。
针对 NAND 闪存行业前景，铠侠判断：2026 年行业增速预计为 15%-19%，到 2027 年市场将进入供不应求的阶段。
在 6 月 25 日的股东大会上，铠侠总裁兼 CEO Hiroo Ota 表示，收到了许多客户希望签订长期协议（LTA）的请求，NAND 闪存业务的核心是 AI，尤其受益于推理 AI，随着 AI 智能体的兴起以及 AI 技术在机器人等领域的应用普及，闪存市场的扩张空间将进一步打开。
铠侠发布新品的同时，韩国厂商正加紧扩产。
SK 海力士 7 月 2 日宣布，计划在忠清北道清州市投资 100 万亿韩元进行大规模扩产，其中，SK 海力士将于明年启动全新晶圆厂 "M17" 的建设，预计在 2029 年前投入 80 万亿韩元（约 514.6 亿美元）用于 NAND 闪存芯片生产。
另外，三星电子也计划在其平泽园区 P5 工厂新建 NAND 生产线，洁净室预计明年完工。若计划落实，这将是三星自 P3 工厂以来首次大规模扩充 NAND 产能。
不过当下，由于消费端需求放缓，机构预计 NAND 闪存的涨价幅度可能放缓。
根据 TrendForce 集邦咨询最新存储器价格调查，2026 年第三季，NAND Flash 主要需求仍由 AI 推理与大型数据中心建设支撑，但因合约价格已达历史高点，消费端客户在需求放缓的情况下，对价格承受力已达极限，预估整体 NAND Flash 合约价将季增 10-15%，幅度较前几季明显缩减。
