存储器行业顾问、前三星中国高管 Ethan Tan 对杰富瑞股票研究分析师表示，预计 2026 年第三季度存储价格将比上一季度上涨 40% 至 50%，第四季度还将再涨 30% 至 40%。
这一幅度远超西方投资者和杰富瑞内部研究团队此前的预期。但 Tan 预测，供应量的增加和人工智能需求的放缓，可能会在 2028 年使内存价格回落 15% 至 20%。
涨价不停
三星、SK 海力士和美光三家公司共同生产了全球几乎所有的 DRAM 和 NAND 闪存，这些产品在人工智能数据中心的利润率远高于在消费类 PC、智能手机或游戏机中的利润率，这也是导致消费电子产品面临内存不足的根本原因。
由于数据中心的需求目前已超过这三家公司的总产能，价格在四年内上涨了 700%。消费级内存因此变得价格高昂，导致苹果、索尼和微软等公司大幅提价。
Tan 还指出，今明两年类似于长鑫存储等企业的供应仍将受到限制，主要因为其缺乏生产下一代芯片所需的先进制造技术，例如 EUV 光刻技术，这将限制中国厂商生产 DDR6 或 HBM3E。
不过，他也指出，中国生产的 DDR5 内存已经可以满足消费级个人电脑的的需求。预计到 2028 年，中国国产 NAND 闪存技术也将与全球其他地区的水平持平。
但尽管制造商和行业分析师普遍将价格飙升归因于人工智能基础设施的需求，但加州一项新的诉讼指控主导 DRAM 和 NAND 生产的这三家公司合谋利用这种情况人为抬高价格。
如果此案继续推进，这将是近 30 年来至少第三起内存价格操纵丑闻。三星、SK 海力士、美光以及现已倒闭的英飞凌和尔必达的 DRAM 部门承认在 1998 年至 2002 年期间串谋操纵价格。
2010 年末内存价格飙升时，三星、SK 海力士和美光再次被怀疑操纵价格，但此案最后因为证据不足在上诉中被驳回。目前尚不清楚加州的诉讼是否能提出充分的证据。
