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和讯投顾房勇:半导体又一卡脖子方向,高端磷材料

2026-06-26 10:16:22 和讯信息 房勇(和讯)

对于半导体持仓拿不住、容易踏空卖飞的投资者,接下来有一个细分赛道存在补涨机会,即半导体高纯磷材料方向。磷元素是芯片 N 型掺杂不可或缺的核心原材料,也是磷化铟光芯片的基础原材料。无论是 GPU 算力芯片、功率半导体还是高速光模块,均离不开高纯磷材料。当前全球 90% 以上的高端半导体磷材料被日本、美国、德国企业垄断,国内高端磷材料综合自给率不足 10%,全赛道供需缺口达 40%,是半导体国产替代中较为紧迫的环节。

以下梳理磷材料方向受益的五大细分方向。

第一个方向是上游核心产品,即 6N、7N 等级的超高纯红磷,是所有磷系半导体材料的源头。海外上游企业如日本长化学、日本拉萨工业、住友化学等牢牢垄断全球超高纯红磷产能,从提纯到封装一体化闭环,严格管控对外供货量,德国巴斯夫也仅少量供应终端材料。国内过去高端磷材料基本 100% 依赖进口,但近几年国内产业链已完成关键突破,搭建起自主超高纯提纯生产线。6N 等级高纯磷已实现规模化量产及稳定供货,7N 级别顶级高纯磷已完成送样检验,正逐步摆脱对海外独家供货的限制。但高端提纯工艺及稳定量产能力仍有巨大提升空间,替代空间广阔。

第二个方向是终端高纯原试剂三氯氧磷,主要适配成熟制程的晶圆掺杂。目前国内国产化率约 35%,缺口达 65%。成熟制程可实现部分替代,但先进制程仍完全依赖进口。

第三个方向是高纯磷烷特种气体,适配 28 纳米至 90 纳米主流芯片外延及功率半导体制程。目前国内国产化率不足 10%,供需缺口达 90%。国内仅能满足低端需求,中高端晶圆厂商几乎全部依赖海外进口,替代空间极大。

第四个方向是 4 英寸常规磷化铟衬底,适配普通光模块及低速光模块。目前国内国产化率较高,基本实现自主可控,缺口较小,已完成基础国产替代。

第五个方向是高端 6 英寸磷化铟衬底,适配 800G 及 1.6T 高速光模块、AI 算力及 CPO 光电共封装,是当前最顶级、卡脖子最严重、缺口最大的细分赛道。目前海外三家巨头垄断 95% 以上份额,国内国产化率不足 8%,供需缺口达 92%。AI 光互联需求全面爆发,海外持续限供,国内产能严重跟不上需求,该方向是整条磷材料赛道中弹性最大、补涨最强的核心分支。

总体而言,半导体高纯磷材料方向是接下来半导体板块补涨的重要方向,尤其是高端 6 英寸磷化铟衬底方向,值得重点关注。半导体持仓若拿不住,可考虑将目光聚焦于此,低位卡脖子的磷材料方向将是下一个补涨的重点领域。

(责任编辑:张岩 )

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