6 月 24 日，A 股存储芯片板块再度爆发。截至收盘，科创 50 大幅走高涨 3.82%，先进封装、存储芯片方向领涨全场。个股方面，汇成股份、长电科技、太极实业、兆易创新、雅克科技等多股强势涨停。场内 ETF 方面，芯片 ETF 广发（159801）最高涨超 5%，科创芯片设计 ETF 广发（589210）、科创芯片 ETF 广发（589160）盘中涨超 3%。
消息面上，软银集团董事长孙正义在股东大会上表示，旗下 Arm 将从芯片设计者进化为芯片提供者并亲自参与制造；台积电已通知客户调涨晶圆代工价格，7nm 及以下先进制程整体涨幅约 5% 至 10%；三星电子和 SK 海力士建立新半导体集群的计划进入最后讨论阶段，SK 海力士计划将龙仁第四座工厂完工时间从 2044 年大幅提前至 2034 年。
6 月以来，存储芯片概念已多次掀起涨停潮，6 月 9 日板块大涨 5.64%，获主力资金净流入 163.41 亿元；6 月 17 日板块再涨 4.02%，获主力资金净流入 159.45 亿元。存储芯片，这个曾被视作 " 半导体周期品 " 的赛道，正在 AI 时代完成一场前所未有的身份跃迁。
从 " 季度谈 " 到 " 月度调 "，存储价格正在失控
存储芯片的价格涨幅，已经超出了绝大多数人的预期。
DRAM 价格从 2025 年三季度到 2026 年二季度涨了约 4.5 倍。市场研究机构 Sigmaintell（群智咨询）最新报告显示，2026 年第二季度消费性 DRAM 与 NAND 价格全面走高，LPDDR5X 12GB 内存颗粒价格较第一季度大涨 89%，LPDDR4X 4GB 上涨 75%，SSD 均价上涨约 50%，UFS 闪存涨幅最高达 100%。LPDDR5X 96Gb（12GB）单颗成本已从第一季度的 77.1 美元跃升至第二季度的 145.9 美元，一季之内近乎翻倍。
更惊人的是今年上半年的累积涨幅。据集邦咨询数据，2026 上半年 NOR Flash 合约价平均累积涨幅达 100% 至 120%，单层单元 NAND 闪存涨幅达 130% 至 150%。招商证券指出，二季度合约价预计环比增幅仍有 60%。
对于下半年，机构的分歧在于 " 涨多少 " 而非 " 涨不涨 "。金融公司 Aletheia Capital 预计三季度 DRAM 均价上涨 30%，四季度再涨 10% 至 15%。Jefferies 的判断则更为激进，认为三季度存储价格环比涨幅可能高达 40% 至 50%，四季度再涨 30% 至 40%。华泰证券指出，HBM 下半年采购成本或再涨超 50%。
涨价的根源在供给端。
据 TrendForce 数据，2026 年一季度 AI 与数据中心需求持续加剧全球存储器供需失衡，一般型 DRAM 合约价环比提升 93% 至 98%，NAND Flash 合约价环比提升 85% 至 90%。长城证券指出，二季度 DRAM 合约价预计仍将环增 58% 至 63%，NAND 合约价将环增 70% 至 75%。
三星、SK 海力士、美光三大原厂已将 70% 的新增 / 可调配产能倾斜至 HBM，但 HBM 产能缺口仍达 50% 至 60%。杰富瑞报告指出，若不计中国厂商，2026 年全球存储 bit supply 预计仅增长 7% 至 8%，主要来自制程迁移，而非新增晶圆产能。DRAM 和 NAND 合计供应缺口可能达到每月 15 万至 20 万片晶圆。
AI 需求重塑：存储从 " 配套 " 变 " 核心 "
本轮存储行情与过往任何一轮周期都不同。
据 IDC 数据，全球 DRAM 营收在 2025 年突破 1500 亿美元后，预计 2026 年市场有望增至 5607 亿美元以上，同比增长 272%；NAND 营收也有望从 2025 年的 671 亿美元增至 2026 年的 2890 亿美元，同比增长 331%。
服务器正逐步超越手机成为存储需求最主要的市场。2026 年服务器 DRAM 占比预计将超过 50%，服务器 NAND Bit 需求预计大增超 60% 并首次成为最大应用。伯恩斯坦最新报告指出，存储正从 " 周期品 " 演化为 AI" 战略资源 "。
国信证券发布研报称，AI 需求推升存储需求，海外原厂聚焦高附加值服务器产品，需求外溢及国产化需求打开国内企业级窗口。存储已不再是单纯的算力配套资源，而是成为决定 AI 系统整体性能与上限的核心基础设施。
供给短缺为国产存储打开了前所未有的窗口期。据 Counterpoint 统计，42 家国证存储芯片指数成分股平均营业收入增长率为 79.78%，13 家公司增速超 100%。德明利以增速 502.08% 位列第一；受益于涨价，平均净利润同比增长率 607.04%。
云厂商 " 锁货 " 加剧供应紧张
下游云厂商的行动进一步锁死了供给弹性。
亚马逊、微软、谷歌及国内头部云厂商已签订 3 至 5 年长期协议，锁定 2026 至 2028 年 HBM、DRAM 及大容量硬盘产能。杰富瑞报告指出，云服务商已与存储厂商签署两年期长期供货协议，并支付约 40% 的预付款。这些长期协议目前占用约 50% 的行业产能，未来可能升至 70%。
分析人士指出，长期协议使存储厂商获得超过三年的需求能见度，有助于抑制价格剧烈波动、支撑利润率稳定。但也意味着，即便价格继续上涨，可售给现货市场的产能越来越少，进一步加剧了现货市场的供需失衡。
多家机构对存储板块后市表达积极看法。
高盛在 5 月底长达 41 页的研报中扔出大胆结论：2027 年 DRAM、NAND 和 HBM 的供需紧张程度会比 2026 年更甚，将延续至 2028 年。摩根士丹利研报指出，受 AI 数据中心需求持续增长推动，硬盘及存储全产业链供需紧张程度超出预期，短缺局面或至少持续至 2028 年，打破此前 "2027 年缓解 " 的预期。
中原证券中期策略称，2026 年一季度起半导体产业链迎来全面涨价潮，涨价已从存储蔓延至晶圆代工、封测、CPU、模拟、功率器件等环节。招商证券表示，当前存储景气周期持续，原厂多年期扩产计划稳步推进，存储供需紧缺或将持续存在。
不过，券商研报也指出，板块风险同样不容忽视。一方面，DRAM 从 2025 年三季度至今涨了约 4.5 倍，任何需求端或供给端的边际变化都可能引发价格回调。Aletheia Capital 与 Jefferies 对三季度涨幅的预测相差 10 至 20 个百分点，分歧本身就意味着不确定性。
另一方面，业绩兑现节奏存在差异。存储模组和封测环节的业绩弹性与上游原厂不同。部分公司股价已充分反映涨价预期，但实际业绩释放可能存在时滞。此外，存储芯片涉及先进制程设备和材料进口，地缘政治变动可能影响国内存储厂商的扩产节奏。
（责任编辑：董映颉 HO013）
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