文 | 半导体产业纵横
过去两年，HBM 一直被视为存储界的 " 试金石 "。但如今，这一现状正发生阶段性变化。
根据 TrendForce 最新研究，2026 年第一季度，64GB DDR5 RDIMM 服务器内存模块的单位晶圆收入和盈利能力，首次超越 HBM 产品。 这意味着，目前存储行业最赚钱的产品不再是紧贴 AI GPU 的 HBM，而是 AI 服务器内部大量使用的 DDR5 内存。
相应的，头部存储厂商之间的 DRAM 扩产竞争也愈演愈烈。
新一轮 DRAM 扩产竞赛，已然打响
据悉，SK 海力士正筹划一场史上规模最大的 DRAM 产能扩张。据 The Elec 报道，SK 海力士已向核心供应商披露计划，拟在 2030 至 2031 年间将 DRAM 月产晶圆数量从目前约 55 万片提升至约 100 万片，几乎翻倍。这与 SK 集团会长崔泰源（Chey Tae-won）在 2026 年 COMPUTEX 展会上的公开表态相吻合——他当时宣称公司将 " 以全速在五年内将整体晶圆产能翻倍 "。
该计划的核心目标是：将目前每月约 55 万张（包含中国无锡工厂约 20 万张产量）的 DRAM 月产能，提升至 2030 年的 100 万张左右。此次扩产将高度集中于龙仁半导体集群。
根据规划，SK 海力士将龙仁一期晶圆厂划分为 6 个洁净室，首个洁净室（Phase 1）的设备搬入时间已从原定的 2027 年 5 月提前至 2 月。在完成设备调试并新增 6 万张产能后，剩余产能将在随后的 3 年内逐步释放，共计增产 36 万张。按此推算，仅龙仁一期晶圆厂就能在 2030 年上半年新增每月 36 万张的 DRAM 产能。
与此同时，目前正在扩建的清州 M15X 晶圆厂也将贡献增量。该厂预计将于今年下半年以每月 4 万张的规模启动运营，并在明年达到约 8 万张的产能。
从现有规划来看，SK 海力士新增产能均聚焦于 DRAM 领域，这主要源于 AI 数据中心建设和 AI 训练 / 推理对高性能计算硬件的需求呈爆发式增长，直接引发 HBM 和服务器用高密度 DRAM 的巨大需求。至于 NAND 闪存，未来将主要通过技术升级（如增加层数）来推进。
在 HBM4E 方面，SK 海力士也在加快交付进度。6 月 18 日，SK 海力士 12 层堆叠 HBM4E 已向各大核心客户送出样品。HBM4E 是第七代 HBM，预计 SK 海力士的 HBM4E 将被用于英伟达的下一代 AI 加速器 "Rubin Ultra" 中，Rubin Ultra 计划于明年发布。
值得注意的是，5 月 29 日，三星电子宣布，已开始向主要全球客户交付业内首批 12 层 48GB HBM4E 样品。美光的 HBM4 产能爬坡进展也相对顺利，计划于 2027 年量产 HBM4E。随着新一代 HBM 产品的量产，这三家存储龙头的供应竞争将进一步加剧。
这场 AI 盛宴的幕后，最开心的远不止存储厂商，还有那些卖 " 铲子 " 的半导体设备商。那么，在浪潮汹涌之下，谁才能抓住真正的机会？
半导体设备商的 " 泼天富贵 "
本轮扩产的第一波设备红利，首先砸向先进 DRAM 前道制程。但受益的远不止光刻机——刻蚀、沉积、清洗、量测等各类前道核心设备，乃至后道堆叠专用设备，均因工艺复杂度跃升而需求激增。
光刻机是第一个也是最硬的需求缺口。当 DRAM 制程迈入 10nm 及以下节点后，传统光刻需依靠多重曝光才能刻出目标电路，直接推高工艺复杂度，并带来良率走低、成本攀升等难题。先进光刻设备成为行业刚需，各大厂商甚至提前布局 High-NA EUV。今年 3 月，SK 海力士便披露将向 ASML 采购总价约 80 亿美元的 EUV 光刻机，交付至 2027 年底，全面服务于下一代工艺。光刻机的紧俏也拉动了配套设备的价值重估——涂胶显影设备在多重曝光流程中配置量同步倍增。
刻蚀与薄膜沉积是最大受益者，两者合计占 DRAM 产线设备投资的近五成。先进 DRAM 的真正难点在于存储电容器的构建。进入 1b 节点后，平面架构的电容尺寸已达物理极限，产业转向三维垂直结构：在氧化硅 / 氮化硅叠层中刻蚀深沟槽，孔径仅数十纳米，深宽比突破 100:1。这直接催生了高深宽比刻蚀设备（负责沟槽成型，侧壁垂直精度达纳米级）和原子层沉积（ALD）设备（负责沟槽内壁均匀镀膜）的高速增长。
数据显示，如今 3D NAND 为提升存储密度，将存储单元垂直堆叠，层数不断增加，目前主流产品已超过 300 层，未来还将向 1000 层迈进。DRAM 未来也有类似的 3D 堆叠层数的技术路线图。这使得对刻蚀设备的需求量和性能要求呈指数级增长，比如从 32 层提高到 128 层时，刻蚀设备用量占比从 35% 提升至 48%。堆叠层数不断增加，每层薄膜厚度要求严苛，ALD 与 CVD 协同工艺成为主流，这都对薄膜沉积设备提出了更高要求。
同时，清洗设备需求飙升——高深宽比刻蚀后的副产物极易在底部堆积，传统清洗液无法有效浸润，而光刻步骤翻倍使清洗工序增至 200 道以上，倒逼超临界流体清洗等高端方案快速渗透。
CMP 设备同样是不可或缺的关键环节。在前道先进 DRAM 制程中，CMP 贯穿浅槽隔离、电容层平坦化和多层互连等多个节点，工艺复杂度跃升直接推高设备需求。
此外，DRAM 晶圆完成前段工艺制造后，将进入 HBM 堆叠工艺工序，同时也会带动一整套专用设备的新增需求。比如：要将多层 DRAM 晶圆垂直堆叠，晶圆减薄机必须将芯片厚度从常规的数百微米减至 50 微米以下，而变薄后的晶圆极易翘曲和碎裂，这对减薄机的精度和应力控制提出严苛挑战；混合键合设备则要在常温下实现铜 - 铜直接扩散连接，界面平整度需控制在亚纳米级；TSV 刻蚀与检测设备更要在薄片上打通数十万个垂直通孔，并逐一排查电气连通性。而混合键合前的原子级表面处理、超薄晶圆减薄配套及 TSV 平坦化均依赖 CMP 完成。
半导体设备厂商，谁抓住了这波浪潮？
在回答 " 谁抓住了机会 " 之前，有必要先看清这波浪潮的体量。
泛林集团（Lam Research）CEO 在 2026 年 1 月的财报电话会上预测，2026 年全球晶圆厂设备市场将跃升至 1350 亿美元，虽受洁净室短缺制约，但下半年增长强劲。HBM 与先进封装成核心引擎，预计后者增速超 40%，NAND 升级亦加速推进。
科磊（KLA）预测 2026 年 WFE 规模将突破 1400 亿美元，且 2027 年增速有望进一步提升。这是一场千亿美元级别的设备盛宴。而在这场盛宴中，不同赛道的设备商受益逻辑各不相同。
关于这波浪潮的受益者，先看国际厂商。
光刻机的最大受益者必然是ASML，这一点不用赘述。涂胶显影设备的主要供应商是东京电子，其市占率长期稳定在 90% 左右，EUV 光刻涂胶显影设备的市占率更是达到 100%，
泛林半导体是刻蚀领域的绝对龙头，其 Kiyo、Flex 系列设备是行业标配。目前，泛林集团已推出专为 4F 和三维 DRAM 制程设计的 Akara 刻蚀系统，同时还提供适用于硅通孔制程的 Syndion 刻蚀系统、以及向硅通孔结构沉积铜金属的 Sabre 3D 电镀系统等设备。
应用材料则是在沉积领域与泛林形成双雄对峙。近日，应用材料发布两款面向 3D 芯片微缩技术的全新制造设备，聚焦先进逻辑与存储芯片在高深宽比结构下的核心工艺挑战。其中，Centris Spectral 设备采用高密度微波等离子体技术，可在低温条件下于复杂 3D 结构内沉积致密、均匀的氮化硅薄膜，显著提升 GAA 晶体管与高层数 3D NAND 的良率与稳定性。
另一款 Producer Selectra 钼刻蚀机则首次实现对金属钼的高选择性干法刻蚀，有效解决传统湿法在数百层堆叠中刻蚀不均、底部难以触及的难题，大幅改善 3D NAND 单元一致性与数据保持能力 。
SCREEN Holdings是全球晶圆清洗设备的市场领导者。根据 YH Research 数据显示，2025 年 SCREEN 控股在逐片处理半导体晶圆（基板）的单片式清洗设备领域，全球份额占到约 38%。
Besi是混合键合设备的主要参与者。今年 4 月初，SK 海力士采购了由应用材料与 Besi 联合研发的混合键合量产成套设备，整套设备造价约 200 亿韩元，折合 1500 万美元，整合了应用材料 CMP 化学机械抛光、等离子处理设备与 Besi 混合键合机，也是 SK 海力士首套面向量产的混合键合设备。
Besi 预测，到 2030 年，全球已安装的混合键合系统累计数量将达到 960 至 2000 台。市场规模方面，全球混合键合设备市场预计将从 2023 年的 1.23 亿美元，以 24.7% 的惊人复合年增长率，飙升至 2030 年的 6.18 亿美元。其中，亚太地区（尤其是中国大陆）将成为增长引擎，市场规模有望超 4 亿美元。
再看国内的半导体设备厂商。2026 年 5 月 19 日，长江存储完成 IPO 辅导备案。6 月 12 日晚间，证监会官网显示，证监会同意长鑫科技首次公开发行股票并在科创板上市的注册申请。长鑫存储与长江存储走向 IPO，只是故事的 A 面。B 面是：它们身后的国产设备商，正从工艺外围的零星国产，逐步跻身左右存储芯片良率上限的关键核心制程赛道。
北方华创是国内半导体设备领域的平台型企业，产品线覆盖刻蚀机、薄膜沉积设备（PVD、CVD）等多种关键设备。据悉，其 PVD/CVD 设备已加速进入国内 DRAM 龙头厂商的供应链体系。去年 10 月，北方华创还在互动平台表示，长江存储是公司的战略客户，公司多款 ICP 及 CCP 刻蚀设备、薄膜沉积设备、炉管设备和清洗设备应用于长江存储的芯片生产线。
中微公司等离子体刻蚀设备已大量用于先进三维闪存和动态随机存储器件的量产；拓荆科技专注于薄膜沉积设备，尤其是 PECVD（等离子体增强化学气相沉积）设备。PECVD 是 3D NAND 芯片制造中的关键环节，直接影响芯片的多层堆叠能力。上述两家公司的产品均已导入长江存储供应体系。
华海清科是国内少数能量产 CMP（化学机械抛光）设备的厂商。CMP 是芯片制造中的关键工艺环节，直接影响到芯片的平整度和良率。盛美上海为国内存储龙头企业供应清洗设备；精测电子提供光学检测、量测等设备；芯源微是涂胶显影设备供应商；精智达专注于存储芯片测试设备；至纯科技为提供高纯工艺系统等。
存储设备的新浪潮，从来不是概念炒作的狂欢，而是技术迭代与市场需求双向奔赴的必然。当 DDR5 凭借高密度优势成为行业盈利核心，当 HBM 的工艺突破拉开高端竞争序幕，这场围绕存储的较量，早已回归到技术实力与产业韧性的本质。
国际巨头靠着数十年在核心设备、先进制程上的沉淀，依然占据着高端市场的主导权，其产能扩张与技术布局，直接牵动着全球存储供应链的脉搏。但国产阵营的突围之路同样亮眼，北方华创、中微公司等企业紧跟国内存储龙头的扩产节奏，从配套环节一步步切入核心制程，用持续的技术迭代和客户验证，正慢慢打破海外垄断的壁垒。
