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钛媒体 18分钟前

玻璃基板产业化进展到哪了?

文 | 半导体产业纵横

在关于玻璃基板的 CSPTxITGV2026 会议上,出现了一组令人振奋的数据:玻璃基板作为下一代先进封装核心材料,正迎来产业化加速期,全球市场规模从 2024 年 14.8 亿美元快速增长至 2034 年 23.3 亿美元,技术竞争日趋激烈,英特尔、三星、JOINT3 联盟等布局加速。

但热闹之下,一线从业者却保持着清醒的克制。在与产业链企业的对谈中,我们听到了另一个版本的故事:主流工艺路线直到最近才收敛于 " 飞秒激光诱导 + 湿法刻蚀 ",电镀填铜的一致性问题仍未完全解决,而一套完整的行业标准体系至今缺位。一名行业专家更是直言,玻璃基板的产业化应用至少在 2030 年以后。

玻璃基板的应用与落地,是一场关于设备、材料、工艺、标准与耐心的长跑。

为什么必须是玻璃?

玻璃基板为何被英伟达、AMD、Intel 同时纳入下一代高性能封装路线图?

这主要是因为玻璃的物理性质:

第一,极低介电损耗。玻璃基板的 Df 值低至 0.001-0.003(@10GHz),较传统 FR-4 有机基板降低 10 倍,可支持超过 112Gbps 的高速信号传输。在 112Gbps/PAM4 乃至下一代 224Gbps 的互连场景下,这是有机材料无法企及的物理极限。

第二,CTE 与硅片极度匹配。玻璃的热膨胀系数(CTE)为 3.0~8.0 × 10 /K,与硅芯片(2.6 × 10 /K)高度匹配,从根本上消除了热循环导致的焊点疲劳与分层失效——这是高端 AI 芯片在数千瓦功耗下长期稳定运行的前提。

第三,超高表面平整度。玻璃表面粗糙度小于 0.1 μ m,是有机基板的 1/50,可以确保微细线路 (

第四,高导热与耐热性。玻璃的热导率 1.1-1.4 W/m · K,使用温度 >500 ° C,完美承载高功率芯片散热需求,Tg 值远超有机材料上限。当 AI 芯片的功耗和面积都触顶时,玻璃基板是唯一还能在物理层面提供增量的材料。

国际上,英特尔定位 " 技术整合者 + 生态构建者 ",聚焦 CPU、硅光模块及 AI 芯片封装,联合康宁、肖特、旭硝子推动生态建设,计划在 2026-2030 年实现大规模应用,并在 IMAPS 2025 上重申玻璃基板战略地位。三星电机则与住友化学合资生产玻璃芯,世宗工厂试点产线已实现 TGV 深宽比 10:1 的突破,不仅向苹果供应 "Baltra"AI 服务器芯片样品,更推动三星电子测试玻璃基板用于 HBM4 封装,同时投资 Extol 强化金属表面处理供应链。SKC/Absolics 作为 " 先发量产抢占者 ",在美国佐治亚州建成全球首座量产级工厂,已向 AMD 提供量产级样品进入认证,计划 2026 年启动小批量量产,其铜填充实现空洞率

从竞争格局看,全球已形成三大阵营。美国阵营以英特尔、Absolics、康宁为代表企业,走 " 自主研发 + 政府资助 " 的垂直整合路线,凭借 CHIPS 法案政策红利和 Intel/AMD 等客户资源占据技术先发优势,累计投资规模近 20 亿美元。韩国阵营则由三星电机、LG Innotek、SKC 组成 " 电子 + 显示 + 材料 " 集团协同军,依托三星联盟内部协同快速迭代和大客户绑定策略,总投资达 11.5 亿美元。日本阵营以 JOINT3 联盟为纽带,联合 AGC、DNP、肖特等老牌材料巨头,通过 " 联盟共创 " 模式构建全产业链生态,凭借深厚的材料技术积淀和精密制造传统稳扎稳打。

TGV 暗战:成孔与填孔

玻璃基板的核心工艺是 TGV(Through Glass Via,玻璃通孔)。但在一线设备商口中,TGV 的产业化远没那么简单。

成孔:工艺路线刚刚收敛

设备商向我们还原了 TGV 成孔的技术演进:" 行业以前摸索过喷砂、机械钻孔、激光烧蚀、纯化学方式等多种路线,都无法满足要求。直到飞秒激光诱导配合湿法刻蚀,才成为目前最稳定的主流方案。"

其原理是:飞秒激光瞬时功率极高,在玻璃基板上产生非线性光学效应,诱导出改质区域;随后将基板浸润在化学药液中,诱导区域优先被腐蚀,形成通孔。通过控制药液循环,可将孔的锥度从 50% 优化到接近 100%(完全垂直),同时避免常规钻孔带来的微裂纹和侧壁粗糙问题。侧壁粗糙度直接影响后续 PVD 种子层和电镀铜的附着力,如果孔壁太粗糙,铜层容易脱落,最终导致导电失效或玻璃破碎。

大族激光作为国内晶圆级 TGV 设备龙头提到:" 国内做晶圆级 TGV 的设备,大部分使用我们的产品。竞争对手主要以低价抢单。" 据其介绍,国内专注 TGV 打孔的设备商约有 6-8 家,除大族外,圭华智能的设备也已获得京东方等客户认可。

填孔:真正的 " 硬骨头 "

然而,打孔只是第一步。真正的产业卡点在电镀填铜。

从业者直言:" 打孔相对简单,电镀才是最难的。玻璃孔多、孔径窄且密,要保证每一颗孔内的铜填充一致性,避免出现空腔体。一旦有空洞,不仅导电失效,热应力下还会导致玻璃破碎。" 另一名业内人士进一步指出:TGV 最大的卡点是良率控制,包括微裂纹、填满不良等问题,且部分问题在可靠性应用中才会暴露。他建议产业界先从 wafer level(晶圆级)业务落地,通过具体产品牵引和验证来稳固良率和可靠性,再向 panel level(面板级)发展以降低成本、提升效率。

一名 CMP 设备从业者表示,核心问题集中在电镀均匀性和孔的填实度两大维度。他表示,前段时间的打样过程中就频繁出现空孔未镀实的情况。这种质量缺陷会引发严重的连锁反应:不仅直接导致导电失效和热应力下的玻璃破碎,更让下游企业不敢贸然采购后续的 CMP(化学机械抛光)设备,一旦电镀环节的良率无法保证,昂贵的 CMP 设备投入将面临巨大的闲置风险。

目前国内做玻璃基板加工较早的企业包括京东方、沃格光电(通格微)、厦门云天、佛智芯、三叠纪(迈科)、安捷利美维、成都奕成等,但这些企业普遍 CMP 设备购买量极少,根本原因正是电镀环节的瓶颈尚未突破。为了满足高精度产品的打样和小批量生产需求,不少企业只能选择将样品送往韩国代工,但这一方案成本极高,且面临严峻的运输难题:玻璃基板尺寸大、又薄又脆,极易在运输过程中破碎,企业不敢通过快递寄送,只能采用客户自提、专人专车护送甚至人工携带的方式,极大增加了时间和经济成本。

这意味着,TGV 的 "10:1 深宽比 " 在实验室中已实现,但从实验室到产线,中间隔着良率、可靠性和一致性三座大山。

设备与材料:藏在产业链深处的 " 卡脖子 "

玻璃基板产业链上,设备投资单条产线超过 1 亿美元。但巨额投资的背后,是大量细分环节仍依赖进口或尚未成熟。

超薄玻璃的 " 非接触式搬运 "

在玻璃基板加工中,一个极易被忽视却至关重要的环节是搬运。

苏州新君正代理的日本进口伯努利晶圆手指,专门用于玻璃基板的非接触式搬运。其原理是利用 " 流速快、气压低 " 的伯努利效应,通过气压将产品 " 托举 " 起来,配合电磁阀和压力表将压力严格控制在 0.35 兆帕以内。

" 玻璃基板很脆,且厚度极薄,目前能做到 0.1 几毫米," 该供应商介绍," 真空吸附容易留下硬痕,而伯努利晶圆手指是非接触式的,不会损伤产品。但伯努利晶圆手指成本比真空吸附原理的产品高很多,设备贵、难做,甲方会算回报率,看重产品效率和破损率。"

目前,200 微米以下的超薄玻璃基板搬运设备主要从日本进口。不过,目前下游客户已要求在中国生产,日本方面提供图纸和系统,中国供应商经日本审核合格后才能供货,以保证 " 能稳定 5 年、10 年没问题 " 的极致稳定性。

这一细节折射出玻璃基板产业的整体困境:半导体行业对性能要求未必极高,但对稳定性的要求近乎苛刻。任何一个环节的微小波动,都会在后续工艺中被指数级放大。

激光与电镀:国产替代的两极

在 TGV 激光钻孔环节,国产设备已具备一定竞争力。大族激光占据国内晶圆级 TGV 设备龙头地位,圭华智能在激光辅助混合刻蚀领域获得认可。帝尔激光等企业也在飞秒激光诱导工艺上深度布局。但在 PVD 镀膜、电镀设备、检测设备等环节,依赖进口仍是现实。特别是电镀填铜设备,直接决定了 TGV 的良率上限,而国内在这一工艺上的设备能力明显弱于激光打孔。

材料端同样如此。高纯 TGV 玻璃原片目前主要依赖肖特(SCHOTT)、康宁(Corning)、旭硝子(AGC)等日美企业。国内企业如彩虹股份虽在 TGV 玻璃原片领域取得了一定进展,但整体产品强度仍不如国外品牌,很多国产玻璃在激光打孔、湿法刻蚀等加工过程中容易出现破碎问题,导致良率大幅下降,目前尚未能实现大规模替代。国产玻璃配方和打孔工艺的核心专利也仍被海外垄断。

标准与中试平台缺失

如果说技术和设备是 " 硬约束 ",那么产业生态的 " 软环境 " 则是决定玻璃基板能否从 " 样品 " 走向 " 商品 " 的关键。无成熟经验参考是当前玻璃基板四大痛点之首:技术路线不确定、标准体系缺失、良率爬坡困难。一位下游客户建议:" 产业应制定统一的基板规范,涵盖翘曲、长宽比等基础指标。标准不通用,会导致设计端、制造端、封测端各自为战,反复试错。"

另一个被高频提及的关键词是 " 中试平台 "。有专家建议:" 搭建公共平台,建立中试试验线,让中小企业低成本试错,加速技术迭代。" 而且,目前,国内一些 AI 设计公司已开始测试玻璃基大算力芯片,但 " 从芯片定义阶段就进行联合优化 " 的早期绑定机制尚未建立。多数项目仍停留在 " 流片后修改 " 的被动模式,极大拉长了验证周期。

一位从业者甚至直言," 国内虽有供应链能力,但缺乏出海口,建议结合华为,形成竞合概念。" 另一位高校专家也表示,高校和研究院所可从顶层架构制定创新链路线图,而产业联盟则需要吸引更多下游企业,明确产品需求,才能真正加速技术产业化。

尽管 AI/HPC 芯片封装被视作玻璃基板的 " 最大增量场景 ",但几乎所有受访者都认为:大规模应用尚未实现,光模块和射频才是现阶段最现实的突破口。

沃格集团的分析也支持这一判断:玻璃基板的低介电损耗特性,使其在 800G/1.6T 光模块、CPO(共封装光学)、5G/6G 毫米波射频前端模块中优势显著。CPO 场景中,玻璃在光通信波段(850-1550nm)具有优异透明性,可直接作为光波导载体,功耗较传统可插拔光学降低 70% 以上。

" 优先选择光模块、射频、MEMS 等场景落地,发挥玻璃基低损耗优势,再拓展高阶应用。" 一位下游客户建议,这些场景对封装尺寸的极端要求相对宽松,但对信号完整性和热管理的要求极高,恰好匹配玻璃基板的物理优势。

当前,玻璃基板产业正站在一个十字路口。一方面,Intel、三星、台积电的量产时间表已经排定,2026 年的 " 产业元年 " 似乎触手可及;另一方面,国产玻璃基板良率不足、电镀填铜问题待解、标准体系尚未建立、中试平台匮乏,这些现实又在提醒行业:从 " 能做出样品 " 到 " 能稳定量产 ",中间隔着两到三年的工程化爬坡。玻璃基板正 " 重塑整个电子信息产业链价值分配 ",从 EDA 设计到终端应用,七大环节形成完整闭环,总带动市场规模超 2000 亿美元。但这场重塑不会一蹴而就。

对于国内产业而言,当前的关键任务不是盲目追求面板级封装的大尺寸量产,而是在晶圆级封装上把良率做扎实、把标准立起来、把中试平台搭起来。

毕竟,半导体行业从不相信 " 元年神话 ",只相信经过 5 年、10 年可靠性验证后的极致稳定。玻璃基板要真正走进产线,需要的不仅是巨头的路线图和资本的助推,更是产业链每一个环节对工艺细节的耐心打磨。

玻璃是透明的,但玻璃基板的产业化路径,仍需在迷雾中一步步探明。

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