5 月 17 日，上交所官网显示，长鑫科技提交更新了财务资料后的招股说明书。其中的核心看点是，长鑫科技披露 2025 年度财务数据显示，该公司已于 2025 年实现首次年度归母净利润转正，同时今年一季度受益于存储行情，业绩大幅增长。
2025 年，长鑫科技营收实现 617.99 亿元，同比增长约 155%。招股书显示，2023 年至 2025 年，长鑫科技营业收入复合增长率达 160.78%。
与此同时，2025 年长鑫科技实现归母净利润 18.75 亿元，2024 年为 -78.70 亿元，意味着长鑫科技较公司及市场此前预期，提前实现了盈利。
关于盈利原因，长鑫科技表示，2025 年下半年以来，产品价格的持续上涨带动了公司产品销售毛利率和利润水平的快速提升，并推动公司 2025 年实现扭亏为盈。该公司 DRAM 产品销售单价在行业周期的带动下波动较大，2024 年和 2025 年，其主要 DRAM 产品销售单价的同比变动幅度分别为 55.08% 和 33.69%。
至今年一季度，长鑫科技业绩增长按下加速键，其中一季度营收实现 508 亿元，同比增长 719.13%；归母净利润达 247.62 亿元；扣非归母净利润为 263.41 亿元。
长鑫科技今年一季度的营收、归母净利润两项财务数据的规模，分别超过中芯国际与佰维存储，在目前所有的科创板公司中居首；对比全部 A 股公司来看，长鑫科技归母净利润规模排名第 13，次于工商银行、中移动、中石油、贵州茅台等公司。
长鑫科技表示，今年一季度，受全球算力需求持续增长、全球主要厂商产能调配等因素影响，全球 DRAM 产品供不应求，价格自 2025 年下半年以来持续呈现大幅上涨趋势。随着公司产销规模的持续增长、产品结构的持续优化，公司营业收入迅速增长，利润额大幅增长。
长鑫科技还给出了今年上半年公司的业绩预期。2026 年上半年，该公司预计营业收入将达到 1100 亿至 1200 亿元，同比增长 612.53% 至 677.31%；净利润 660 亿至 750 亿元，归母净利润 500 亿至 570 亿元，扣除非经常性损益后的归母净利润预计约 520 亿至 580 亿元。
泰芯资本投资合伙人、前阿里战略投资部成员郭延洋，曾参与了阿里对长鑫的投资。其在接受《科创板日报》记者采访时评价称，长鑫科技能在 2025 年实现扭亏，并在 2026 年一季度展现出强劲的盈利弹性，是行业周期上行、公司技术产品突破与运营效率提升共同促成的结果。" 这比单纯基于静态线性外推的预期，要更早地验证了其商业模式的可行性和成长潜力。"
郭延洋表示，长鑫作为国内规模最大、技术最先进的 DRAM 一体化企业，其产销规模的稳步扩大、制程技术的持续突破以及向 DDR5 等更高附加值产品的演进，共同构成了业绩增长的内生动力。而长鑫科技的盈利，也进一步印证了包括阿里在内的头部互联网与科技公司，过去加大对算力、存储等底层基础设施国产化投入的前瞻性和必要性。"
长鑫科技无控股股东和实际控制人。在长鑫科技的股东名单中，囊括了兆易创新、美的资本、小米、阿里等产业资本；大基金二期、国调基金、安徽省投等国资；招商资本、君联资本、安元基金、基石资本、燕创资本、兰璞投资、云锋基金、燕园创投、铭盛资本、前海母基金、华富嘉业等知名投资机构。
据了解，长鑫科技 2016 年成立以来，专注于 DRAM 产品的研发、设计、生产及销售，其采取 " 跳代研发 " 的策略，完成了从第一代工艺技术平台到第四代工艺技术平台的量产，以及 DDR4、LPDDR4X 到 DDR5、LPDDR5/5X 等产品覆盖和迭代升级。
长鑫科技在合肥、北京两地共拥有 3 座 12 英寸 DRAM 晶圆厂。根据 Omdia 的数据，按照产能、出货量和销售额统计，长鑫科技已成为中国第一、全球第四的 DRAM 厂商。
据了解，基于销售额测算，2025 年三星电子、SK 海力士和美光科技在全球 DRAM 市场的占有率分别为 33.96%、34.48% 和 23.41%，上述三家企业合计占全球 DRAM 市场 90% 以上的市场份额。
国产 DRAM 厂商长鑫科技近年正逐步进入全球主要厂商阵营。
基于 Omdia 数据测算，按 2025 年第四季度 DRAM 销售额统计，长鑫科技的全球市场份额已增至 7.67%，并有望随着技术发展及产能建设实现进一步增长。
长鑫科技正在寻求科创板开市以来最高的 IPO 融资规模。据招股说明书披露，长鑫科技此次上市拟募资 295 亿元，其中 75 亿元用于晶圆产线改造升级、130 亿元用于 DRAM 技术升级、90 亿元用于动态随机存取存储器前瞻技术的研发。
值得关注的是，尽管长鑫科技与海外原厂在业务体量上仍有差距，但长鑫科技在今年一季度的利润率约为 65%，已经与之达到相近水平，且今年一季度长鑫科技的业绩增速高于其他存储巨头。
" 国产存储的高端化发展已进入从突破到放量的关键阶段，前景十分广阔。" 郭延洋表示，在技术层面，以国内实现量产的 DDR5 内存芯片切入主流服务器供应链为代表，国产 DRAM 已在产品代际上实现与国际主流接轨；产业层面，从存储介质、芯片到系统，国内已实现全链条的自主突破，产业链协同和自主可控能力持续增强；市场层面，AI 算力、数据中心建设以及智能终端普及，对 HBM、DDR5 等高端存储产品形成了强劲且持续的需求拉动。" 这些因素共同推动国产存储企业从跟随者向并跑者，乃至未来领跑者的角色转变。"
