这项移动 HBM 封装技术名为 " 多层堆叠 FOWLP"，其结合了超高纵横比铜柱和扇出型晶圆级封装（FOWLP），并对现有的垂直铜柱堆叠（VCS）技术进行了改进。
目前，智能手机等移动设备中尚未普遍采用 HBM。虽然服务器级 HBM 已经具备高带宽，但移动设备在尺寸、厚度、功耗和发热量方面面临着更为严格的限制。
为解决限制，三星电子大幅提高了 VCS 封装中铜柱的纵横比，从现有的 3-5:1 提升至 15-20:1，从而扩展了带宽。然而，当铜柱直径小于 10 微米时，弯曲或断裂的风险也会增加；为了弥补这一缺陷，三星电子采用了一种结合 FOWLP 工艺的方法。FOWLP 是一种在芯片成型后向外延伸布线的技术，起到支撑铜柱的作用。
通过上述方法，HBM 可以在相同的空间内放置更多的 I/O 端子，从而使带宽提升 15-30%，并可实现超过 1.5 倍的内存堆叠数量。业内人士认为，移动 HBM 的技术优势将是决定未来高端 AI 智能手机市场份额以及能否成功实现差异化的关键因素。
不过，另有业内人士指出，由于服务器、数据中心和 AI 加速器等领域对 HBM 的需求预计在短期内仍将保持强劲，移动 HBM 的研发和量产速度可能会比计划路线图有所滞后，预计这项技术最早可能在 Exynos 2800 或 Exynos 2900 移动处理器的后续版本中推出。
华创证券指出，AI 终端有望带动硬件多环节价值量提升，将大模型部署至本地会占用本地内存，以 70 亿参数的 LLaMA 模型为例，在 4 位的情况下仍需占用最小 3.9G 内存，从而驱动手机内存升级。端侧 AI 提升用户体验，或有望带动出货量快速增长。
据 TrendForce 测算，2026 年全球 HBM 位元消耗量将同比大增 92% 至 285 亿 Gb，AI 算力集群扩容已成为核心需求支撑。海通国际证券认为，伴随 2027 年全球 AI 服务器出货量持续高增、HBM3e/HBM4 迭代渗透提速，叠加先进封装与良率瓶颈仍持续约束供给释放，我们看好 HBM 后续涨价预期。
东方财富证券表示，HBM 正由 " 配套存储 " 升级为决定算力上限的核心环节；技术壁垒叠加产能爬坡，产业链盈利弹性与集中度有望同步提升。2026 年在 AI 算力与 HBM 放量背景下，封测与设备环节盈利修复与国产替代逻辑同步强化；平台化存储与系统级创新共振，HBM 时代基础存储能力构筑第二增长曲线。
