8 月 19 日，湖北九峰山实验室宣布在磷化铟 ( InP ) 材料领域取得里程碑式进展，成功研发出 6 英寸磷化铟基 PIN 结构探测器和 FP 结构激光器的外延生长工艺，关键性能指标达到国际领先水平。这一成果标志着我国首次在大尺寸磷化铟材料制备领域实现从核心装备到关键材料的国产化协同应用，为光电子器件产业化发展提供了坚实支撑。
而此次九峰山实验室依托国产 MOCVD 设备和 InP 衬底技术，攻克了大尺寸外延均匀性控制难题，首次开发出 6 英寸磷化铟基 PIN 结构探测器和 FP 结构激光器的外延生长工艺， 关键性能指标达到国际领先水平，为实现 6 英寸磷化铟光芯片的规模化制备打下基础。
在全球光电子产业高速发展的背景下，光通信、激光雷达、太赫兹通信等领域对磷化铟的需求呈现爆发式增长。据 Yole 预测，磷化铟光电子市场规模 2027 年将达 56 亿美元，年复合增长率 ( CAGR ) 达 14%。6 英寸磷化铟工艺的突破，有望推动国产光芯片成本降至 3 英寸工艺的 60%-70%，有助于加速国产替代进程，增强国产光芯片市场竞争力。
截至 8 月 20 日收盘，A 股市场上具备磷化铟业务的公司不足 10 家，主要有三安光电、源杰科技、云南锗业、长光华芯、海特高新、九联科技、凯德石英。其中三安光电、源杰科技、云南锗业、长光华芯市值规模居前，且均超百亿元。
具体来看，三安光电以 720 亿元市值位居首位，其核心主业包括磷化铟等化合物半导体新材料所涉及的外延片和芯片的研发、生产和销售。公司 2024 年实现总营业收入 161.06 亿元，同比增长 14.61%；实现归母净利润 2.53 亿元，同比减少 31.02%。
源杰科技以 231 亿元市值紧随其后，年内股价涨幅高达 100.7%，成为磷化铟概念领涨股。公司已布局磷化铟激光器芯片的生产，核心产品涵盖从 2.5G 到 50G 的磷化铟激光器芯片，广泛应用于光纤到户、数据中心、云计算、5G 移动通信等领域。2024 年，公司实现总营业收入 2.52 亿元，同比增长 74.63%；实现归母净利润 -0.06 亿元，同比减少 131.49%。
国内锗行业龙头总市值也达 185 亿，且年内股价已涨超 50%。其控股子公司云南鑫耀半导体材料有限公司作为九峰山实验室本次技术突破的合作方，已掌握 6 英寸磷化铟单晶片的产业化关键技术，即将进入量产阶段。
云南锗业日前在投资者互动平台回答称，目前公司磷化铟晶片产能为 15 万片 / 年 ( 2 — 4 英寸 ) ，2024 年公司生产磷化铟晶片 6.44 万片 ( 2 — 4 寸合计 ) ，2025 年计划生产磷化铟晶片 8.30 万片 ( 2 — 6 寸 ) 。其生产的磷化铟晶片主要用于生产光模块中的激光器、探测器芯片，下游主要运用于 5G 通信 / 数据中心、可穿戴设备等。
值得注意的是，云南锗业最新发布的上半年业绩预告显示，公司归母净利润预计扭亏为盈，达到 1600 万元至 2300 万元。公司表示，上半年光通信市场景气度提升，磷化铟产品销量增加，叠加材料级锗产品销量下降但价格上升等因素，带来公司销售收入增加、综合毛利率上升。
总体而言，九峰山实验室本次联合国内供应链实现全链路突破，对促进我国化合物半导体产业链协同发展有着重要影响，也为产业链自主可控奠定了基础。九峰山实验室表示，未来将持续优化 6 英寸 InP 外延平台，推动下游产品验证，提升产业链自主可控能力，推动我国光电子产业升级。
