今年 3 月，三星在其韩国华城园区引入了首台 ASML 制造的 High-NA EUV 光刻机，型号为 "TWINSCAN EXE:5000"，成为继英特尔和台积电（TSMC）之后，第三家购入 High-NA EUV 光刻机的半导体制造商。三星已决定在未来的 DRAM 生产中采用 High-NA EUV 技术，竞争对手 SK 海力士也有同样的想法。
根据三星和 SK 海力士的计划，DRAM 架构将分阶段发展——从 6F 到 4F ，最终发展到 3D DRAM。2030 年之前量产的 4F DRAM 将需要 EUV 技术处理，预计将采用 High-NA EUV 工具。不过与传统 DRAM 不同，3D DRAM 通过垂直堆叠增加晶体管密度，并不一定需要用到 EUV 技术，无论是普通的 EUV 还是 High-NA EUV 工具，从而消除了对 EUV 技术的需求。这意味着即便投资了 High-NA EUV 光刻机，但实际部署到 DRAM 生产的窗口期可能相对较短。
三星也会将 High-NA EUV 技术引入到逻辑芯片的生产中，正在评估 1.4nm 工艺中的使用，目标 2027 年量产。台积电也打算推迟使用 High-NA EUV 光刻机，A14 工艺将绕过该技术，要等到 2027 年之后，计划 A14P 工艺上引入。
