长鑫科技 9 月 20 日晚间发布自愿性披露公告称，该公司在 2026 世界制造业大会上宣布，公司第五代工艺技术平台正式实现量产，并同步展出基于该平台打造的大容量 LPDDR5X 产品。
据长鑫科技方面向《科创板日报》记者介绍称，长鑫科技第五代工艺技术平台（下称 "G5 平台 "）的工艺水平，可比肩行业顶尖量产工艺节点，是长鑫存储在高端存储技术路线上的里程碑式突破，将为全球存储产业提供更具创新性、更具供应链韧性的解决方案选择。
G5 平台在关键工艺维度实现了多项行业领先的技术突破。通过四重曝光技术，长鑫科技把内存阵列的有源区半间距微缩至 11.95 纳米，接近全球最顶尖的内存量产平台制程。
另外，通过变革工艺流程、采用新材料，存储电容深宽比达 45:1；开发适配 DRAM 工艺的高介电常数金属栅（HKMG）工艺，成功将 G5 平台核心功能区高度缩小到 6762 纳米。
长鑫科技 G5 微缩工艺的突破，还推动了存储密度实现跨越式提升。《科创板日报》记者获悉，该工艺下的每片晶圆产出裸片数量较第四代平台提升至少 50%，在产品能效、成本控制上均具备显著优势。
研发过程中，长鑫存储在现有工艺模块的基础上，创造了独特的数字孪生系统，贯穿包括设计、开发、制造、维护等全生命周期的产品研发过程，在这一虚拟研发线中，搭建先进 DRAM 工艺模型，加速研发进程。同时，在界面工程、鞍形鳍式结构、低 k 间隔层位线等核心工艺上实现突破。
本次 2026 世界制造业大会上，长鑫科技同步展出两款基于 G5 平台打造的 LPDDR5X 量产产品。现场展出了字节与中兴联合研发的豆包手机——努比亚 NaviX Ultra，搭载了长鑫最高速率 10667Mbps 的 LPDDR5X 内存。
长鑫科技表示，这是国产 10667Mbps 高速 LPDDR5X 内存芯片首次实现量产落地应用。其中单颗容量均为 24Gb，较上一代同类型产品提升 50%，分别采用 496Ball、245Ball 封装规格，可适配中高端智能手机、便携式消费电子等不同场景需求，目前均已进入规模量产阶段。
长鑫科技 LPDDR6 研发及导入进展同样取得了突破。
今年 8 月，长鑫科技宣布自主研发的最新一代低功耗内存 LPDDR6 实现量产，并将首批搭载于小米 18 Fold 折叠旗舰手机。长鑫 LPDDR6 芯片性能较上一代 LPDDR5X 实现全面跃升，通过架构创新及数据传输优化技术，充分释放数据传输潜力，峰值速率达 12800Mbps，芯片最高容量 16GB。
这也是全球 LPDDR6 产品首次落地商用，标志着中国存储企业首次在高端内存标准上，打破海外厂商长期垄断产品先发的局面，实现全球首发量产。
第五代工艺技术平台实现量产，将有助于长鑫科技进一步丰富产品矩阵、提升核心竞争力、巩固市场地位。长鑫科技表示，截至该公告披露日，公司基于第五代工艺技术平台的量产产品尚未形成规模销售，短期内不会对公司经营业绩产生重大影响。
另外值得关注的是，长鑫科技第五代工艺技术平台作为全新平台，良率爬坡仍需要一定的周期。
长鑫科技在公告中称：" 公司基于第五代工艺技术平台的产品，尚未形成规模销售，新产品导入客户需经过验证与认证周期。"
