【台积电预计 2030 年起在先进制程大规模生产中采用 ASML 高 NA 技术】财联社 9 月 8 日电，阿斯麦与台积电 9 月 8 日宣布成立行业合作计划，推动高数值孔径（High NA）极紫外光刻（EUV）光罩从目前的 6 英寸向 12 英寸升级，以提高晶圆厂生产效率、降低芯片制造成本并消除拼接限制。双方计划于 2031 年建立 12 英寸光罩试产线，并推动 12 英寸高 NA EUV 光刻系统于 2033 年进入先进制程量产。台积电预计 2030 年起在先进制程大规模生产中采用 ASML 高 NA 技术。
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22分钟前
台积电预计 2030 年起在先进制程大规模生产中采用 ASML 高 NA 技术
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