近日，3D 存算一体芯片领军企业谦合益邦宣布，其自主研发的全球首款 4 层 3D DRAM 堆叠存算一体芯片成功回片并点亮，标志着 4 层 3D DRAM 堆叠存算一体芯片从技术验证正式迈入工程落地阶段。
该芯片采用谦合益邦自研的全新三维集成原生计算架构与 3D DRAM 堆叠技术，在全球范围内首次实现 4 层芯片在垂直方向的高密度集成，将计算单元与存储单元在三维空间中深度融合，从根本上突破了传统平面架构下计算与存储分离带来的 " 内存墙 " 瓶颈。
在此基础上，该芯片以逻辑层为基底、4 层 DRAM 堆叠其上的 "4+1" 三维堆叠架构，将垂直扩展能力和空间推向新的高度。而垂直扩展能力，正是决定存算一体芯片访存带宽与存储容量上限的关键：堆叠层数越多，大规模并行计算与高并发数据流处理所能调用的存储带宽与容量就越充足。但层数每增加一层，良率、可靠性与热管理等技术挑战也随之倍增，层间对准精度、垂直互连一致性、堆叠散热控制，每一环都考验着设计与工艺的极限。这一 "4+1" 堆叠架构的成功突破，将三维集成原生计算架构的工程落地推进到 4 层堆叠的全新高度，标志着我国在三维存算一体芯片领域取得了重大成果。
谦合益邦成立于 2024 年 1 月，是由网易孵化的国内最早专注于 3D 存算一体、三维集成原生芯片架构和云游戏应用加速的芯片公司。公司核心团队早在 2018 年便率先启动全球第一款基于 3D DRAM 存算一体架构芯片的探索研发及量产。彼时 " 存算一体 " 尚停留在学术探讨的阶段，团队已率先下场验证技术路线；六年的先行积累，多轮流片、多次试错与多代架构迭代的沉淀，形成了如今芯片行业最稀缺的技术壁垒。如今，从架构定义、前后端设计到先进 3D 封装、晶圆制造，公司联合国内产业链伙伴打通全流程闭环，实现了核心技术自主可控。
近期，公司刚完成超 20 亿元的 B 轮融资，网易有道与中国移动链长基金作为长期股东及合作伙伴，在业务层面与公司形成深度协同，为芯片规模化落地提供了坚实的需求入口与验证场景。
未来，谦合益邦将持续深耕 3D 存算一体技术，用极致性能的芯片赋能更多应用场景，以芯为基，以存算为桥，迈向中国芯片产业的三维集成新时代。（雷峰网雷峰网雷峰网）
