![]()
![]()
据韩联社 7 日报道，韩国存储芯片巨头 SK 海力士当天召开董事会，决定投入超 54 万亿韩元（约合 2580 亿元人民币）在韩国本土建设两座存储芯片工厂，以应对人工智能时代日益增长的内存需求，提高市场竞争力。
其中位于龙仁的 "Y2" 工厂定位为 DRAM 生产基地，将投入 35.2 万亿韩元。位于清州的 "M17"NAND 工厂将耗资 19.1 万亿韩元。按计划，"Y2" 工厂计划明年 7 月动工，并于 2029 年 6 月启用首个洁净室。"M17" 工厂预计明年 2 月动工，并于 2028 年 12 月启用首个洁净室。
SK 海力士认为，随着人工智能产业的快速发展，存储芯片已不再仅仅是普通元器件，而是成为决定人工智能模型性能的关键基础设施。在需求激增、供应短缺、内存价格大幅上涨的背景下，今年以来 SK 海力士在韩国市场上市的股票价格已上涨近 120%。另一方面，市场投资者也在密切关注存储领域的供需关系是否会出现新的变化，目前市场普遍预测内存价格在 2028 年底前都将维持高位。
猜你喜欢
▌本文来源：央视财经（ID：cctvyscj）
你会关注
" 全球规模最大芯片厂 "，有新进展
宇树科技，上市时市值约 609.93 亿元
光伏硅料八大企业，共同签署！
美股存储芯片巨头，股价跳水
金价强势反弹！黄金市场，大变化→
监制 / 柯成韵
主编 / 武洋
记者 / 周子璇 编辑 / 孙永慧
转发，关注！
