新内存战争

向来在供应链上予取予求的苹果，这次也碰壁了。

据韩媒 Digital Daily 报道，苹果此前试图与长鑫商谈更低的内存部件价格，却遭到了长鑫的回绝。面对压价要求，长鑫给出了不低于三星和海力士的报价。

赋予长鑫谈判底气的，自然是供需关系的严重失衡。

手机、主机、游戏机，目之所及，举凡需要用到存储芯片的产品，都在眼下这场迁延日久、且至少将维持到 2028 年的存储涨价大潮中被波及。

内存，这个曾经的「白菜价」零部件，如今却价比黄金。

但这波涨价潮，也给了几家头部存储厂商一项超能力：有钱。

于是，丰厚的现金储备纷纷砸向研发，过去一周，存储行业几乎每天都有新技术发布——

谁能提前锁定新的行业标准，谁就是未来十年的大赢家。

一场新内存战争打响了。

三星：更快、更强、更贵

昨天，三星在圣克拉拉举办的未来内存与存储大会（Future of Memory and Storage, FMS）上一口气拿出了近 30 款存储技术更新。

率先端上来的是下一代 NAND 闪存芯片 V10 BV-NAND。

作为存储厂商通过 3D 堆叠存储单元增加容量的最新「叠叠乐」成果，用上了「晶圆键合」技术的 V10 BV-NAND 堆叠层数直抵 400+ 层，远超当前量产的 V9 版本的 286 层。理所当然地，内存密度也提升了 58%，并在 I/O 性能上有所突破。

简言之，「同等体积内提供更大容量」的闪存发展定律目前仍然有效。只不过更复杂的工艺，也许会成为下一轮涨价的理由。

在 AI 服务器专用的下一代 HBM 内存发展思路上，三星则与华为的「韬定律」殊途同归——既然晶圆生产不可能瞬间提上来，那提升性能的最佳方式只能是在设计上动脑筋，尽可能地降低时延，发挥出目前被数据搬运耗时拖累的计算性能。

由此诞生的产物，便是最新的概念模型：zHBM。

虽说前面的 z 让整个名字开始长得像验证码，但它的含义倒是很好理解—— z 代表 zero-distance（零距离）。

传统的 HBM 和处理器有点像基板上相邻的高楼和厂房，数据从高楼（HBM）搬到处理工厂（处理器）还要走一段路，这段距离消耗的时间都是实打实的性能浪费。

于是，zHBM 把垂直空间发挥到极致，直接将 HBM 堆叠到处理器上方。跑一层楼，数据就能直抵处理器，从而最大限度地降低时延。

结合刚刚说过的晶圆键合技术和下一代接口，三星预期 zHBM 的性能大约是 HBM5 的 8 倍，存储密度超过 HBM5 10 倍以上，能效提升 3 倍，热阻降低过半。用今天的眼光看来，堪称是科幻级的产品。

当然，离处理器很近的 zHBM 离我们还很远，三星或许需要五年以上的时间来解决垂直堆叠带来的散热问题。

在那之前，还隔着即将量产的 HBM4E 和 HBM5，而业界预期 HBM4E 的价格将会是 HBM4 的两倍，更别说 HBM4 本身的价格也很可能从今年下半年的 2 美元 /Gb 上涨到明年的 4~5 美元 /Gb。

朋友们，「内存是最好的理财产品」这句话还是太权威了。

作为存储涨价大潮最直接的受益者之一，三星绝对不希望打价格战，而是打算走「高端精品」路线，依靠先进技术制定行业标准，将自己打造成「内存界的爱马仕」。

闪迪 & SK 海力士：HBM「平替」也是好生意

另一厢，目前的 HBM 龙头 SK 海力士还没有发布像 zHBM 这样的概念性前瞻产品，毕竟根据当前路线图，等海力士循序渐进开发到 HBM5E 也是 2031 年的事了。

这不代表他们没有新动作。就在三星发布会的前一天，海力士联合闪迪共同发布了 HBF（高带宽闪存）的首份技术规范，Google 和 AI 芯片公司 Tenstorrent 也已加入这个标准化联盟。

从签署合作备忘录到规范落地，HBF 只用了六个月。

与 HBM（高带宽内存）相对，一字之差的 HBF 目标就是成为「闪存版 HBM」，即运用相对更廉价的堆叠式高带宽闪存代替内存，来补足「HBM 太贵、SSD 太慢」的需求缺口。

当然，如果 HBM 足够便宜，完全使用 HBM 才是最佳方案；但眼看着内存价格突破天际，数据中心也不得不曲线救国。

要知道，主流的 12 层 36GB HBM 模组的价格已经喊到了 300 — 500 美元一颗，而你可以用相近的成本堆叠出高达 512GB 的 HBF 模组，容量是 HBM 的十多倍。

但 HBF 不完全是 HBM 的「平替」，因为二者的延迟速度差了两个数量级，像 AI 模型推理过程中高频访问的 KV Cache 等热数据，还是只能放在 HBM。

HBF 瞄准的更多是一个此前缺乏合适解决方案的中间层市场，亦即构建出一个类似当前 CPU 多级缓存的分层存储方案，只让 HBM 负责读写变化最频繁的数据，模型权重与上下文历史等相对稳定的数据则挪到 HBF，用分工提升系统整体效率。

HBM 的光芒，可能让很多人忘记了海力士本身就是全球第二大 NAND 厂商。HBF 一旦落地，海力士在全球存储版图中的制霸将更加稳固。

不仅要做得更高，还要做得更广，这就是海力士的战略意图所在。

有人可能要问，HBF 能让内存降价吗？

答案可能比单纯的「不能」更糟糕。

先不说远水救不了近火—— HBF 至少要到 2028 年才能投入商业化应用——哪怕它确实替代了部分服务器的 HBM 需求，省出来的资源也会被 AI 参数规模与上下文窗口的扩张瞬间吞噬。

在整体需求远远未看到天花板的情况下，新技术也不能改变内存紧缺的现状，反倒是支持多达 20 层 NAND 堆叠的 HBF 会大幅提升数据中心对 NAND 闪存的需求——是的，固态硬盘也要大涨价了。

长鑫：国产内存「拯救世界」

就在这个当口，供应链传出消息：长鑫存储的 LPDDR6 内存已经进入送样阶段，有望于今年下半年实现量产。

如果消息属实，长鑫科技就不再是落后一两代的追赶者，而是有能力与三星、SK 海力士一道生产符合最新标准的内存。

更重要的是，消费者真的能买到长鑫的产品。

前几天，《日经亚洲》获悉惠普、宏碁和华硕等 PC 大厂已经在今年先后完成了对长鑫 DRAM 内存的认证流程，开始少量采购长鑫内存。

结合早前苹果公司游说美国政府希望放行使用长鑫存储芯片的新闻，我们大可以这样认为：

作为追赶者，长鑫的产能不会被 HBM 等高端业务锁定，已经形成业务的都是 DRAM 内存，这反倒给了长鑫一个难得的历史机遇——争夺被「御三家」抛弃的消费端市场。

在这个数据中心商用产品严重挤占普通 DDR、LPDDR 内存产能的时代，「买得到」比性能本身更重要。

哪怕长鑫的主流产品仍落后于一线梯队，但对于被内存风暴撕扯得无处安身的消费电子厂商而言，任何形式的供给都可算是久旱逢甘霖。

消费端的迫切，还产生了奇特的利润倒挂。今年 3 月的财报电话会议上，美光管理层承认，传统 DRAM 产品的边际利润率甚至超越了 HBM 内存。

因为商业合同至少会将报价锁定几个月，而消费 DRAM 几乎一天一个价的涨幅，会实时反映到利润率之上。

长鑫也确实在全力应对这一需求。

据估算，到 2026 年底，长鑫的 12 寸 DRAM 晶圆月产能将达到 35 万片，已经相当接近美光每月 37.5 万片的数字。

只可惜，对于已经陷入挤兑的内存市场，任何形式的增产都很难单方面改变市场走势。

这里面的逻辑在于：任何预期到内存价格仍将继续走高的厂商，都会为了保障供应而尽可能地扩大库存，进而加剧内存短缺，于是便再次巩固了内存价格将继续飞涨的共识。

过往经验告诉我们，一旦社会陷入到这种循环，哪怕是便宜、量大的食盐和卫生纸都可能出现短缺，更何况是昂贵的内存芯片？

所以，哪怕长鑫的崛起能「拯救」消费端市场，也只能救一点点；在可预测的将来，这轮超级内存周期都看不到终点。

此前半年，消费电子行业还处于一种接近「功能代偿」的状态，即通过消耗库存、停产低端产品、承受更低利润等形式，尽可能避免让内存涨价直接冲击消费市场。

但随着所有缓冲被打破，接下来的秋冬季节，将比此前任何一年都更难熬。

昨天的发布会上，余承东更是直言：所有手机都可能大规模涨价，否则将陷入亏本销售的境地。

「内存战争」打到现在，一个明显的趋势是——

三星和海力士正在做得更贵、更新，试图将未来十年的存储生态与标准，和自家产品高度捆绑。

另一方面，长鑫存储正在巨头们空出来的消费级内存市场快速发育。

但对于像你我这样的普通消费者而言，唯一能做的，似乎就只有乖乖掏出钱包，成为这场「新内存战争」的见证者。