zHBM：重构存算架构，性能预计跃升八倍
作为战略核心，zHBM 革新了 HBM 的物理布局。传统方案中 HBM 通常置于 AI 处理器旁，而 zHBM 通过晶圆键合技术将 HBM 直接堆叠于 AI 加速器之上，大幅缩短数据传输物理距离。三星表示，这种设计不仅提升了大规模 AI 训练和推理的带宽，还显著改善了能效。
据官方数据，基于 zHBM 的下一代接口系统性能预计达到 HBM5 的八倍。借助晶圆键合，其内存密度有望超过 HBM5 的十倍，能效提升三倍，热阻降低一半以上，从而构建更稳定、易散热的高容量高带宽系统。此外，zHBM 支持定制化布局，允许在内存堆栈与加速器之间嵌入特定 IP 层，用于扩展容量或添加针对特定 AI 负载优化的逻辑电路。
zNAND-O 与 V10：聚焦边缘 AI 与高密度存储
针对边缘 AI 场景，三星推出了高性能 NAND 解决方案 zNAND-O。该产品目前开发有四层和八层版本，兼具高空间效率、改进的 I/O 性能和低延迟特性，定位为介于传统大容量存储与快速推理内存之间的中间形态，旨在支持靠近数据源的实时密集型 AI 应用。
在具体产品方面，三星展示了业界首款键合 V-NAND 架构设备—— V10 BV-NAND。该器件利用晶圆键合技术在单芯片内实现超 400 层堆叠。三星称，相较于上一代 V9，V10 BV-NAND 的内存密度提升约 58%，并在读写及 I/O 性能上实现全面超越，致力于为未来 AI 系统提供高性能、高容量的存储支持。
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