截至美股周三（6 月 3 日）收盘，纳微半导体（NVTS.US）股价收涨 19.26%，股价创上市以来新高，过去一年该公司股价累计涨幅超三倍，目前总市值 72.08 亿美元。据其此前公布的 2026 财年第一季度，当期营收为 860 万美元，超出市场预期。
纳微半导体于 5 月 29 日在 COMPUTEX 2026 上展示的 800V 至 6V 直流 - 直流电源分配板（PDB），正是这一合作的具体落地产品。
该产品专为英伟达新一代 AI 数据中心 800 VDC 机架架构设计，旨在提升系统效率与功率密度。
其最大亮点是省去传统 48V 中间总线转换模块，依托 16 颗自研 GaNFast 氮化镓芯片实现 800V 直降 6V，峰值供电效率 97.5%、功率密度达 2100W/ 立方英寸，板体厚度较智能手机薄两成，可近距离贴合 GPU 布设，大幅缩减布线损耗与机房空间占用。
该产品对 AI 电力系统具备关键支撑作用。800 VDC 架构可降低线缆铜耗、压缩机房配电成本，而纳微半导体的氮化镓 + 碳化硅方案是整套高压配电落地的硬件基础，能够解决巨型 AI 工厂多 GPU 集群瞬时功耗波动大、供电损耗偏高的行业痛点，帮助数据中心压缩配电综合能耗，适配吉瓦级 AI 算力园区规模化落地需求。
纳微半导体首席执行官 Chris Allexandre 表示，随着 AI 工作负载持续扩展，电力传输已成为构建下一代吉瓦级 AI 工厂最关键的挑战之一。
纳微半导体专注于氮化镓和碳化硅第三代功率半导体，产品广泛应用于 AI 电源领域，可提供从电网接入到芯片的完整供电方案，是 AI 浪潮中 " 电力革命 " 这一细分赛道的代表性企业。
*AI 工作负载对电力的需求将达到传统计算的 100 至 1000 倍，对供电架构提出了前所未有的挑战 **，这一背景下，纳微半导体正从传统的消费电子与移动市场，转向高增长、高利润的高功率应用领域，包括 AI 数据中心、能源与电网基础设施等。
其 GaNFast 氮化镓技术实现了 800V 直接到 6V 的降压转换，消除中间 48V 总线转换器环节，目标峰值效率达 97.5%，功率密度高达 2100W/in ；在碳化硅（SiC）方向，该公司的 GeneSiC 解决方案支持从电网到 AI 计算机架的高效电力传输，涵盖采用 2300 V 和 3300 V SiC 功率模块的固态变压器，以及基于第五代技术 1200 V SiC MOSFET 的高功率三相电源供应单元。
